编辑：ll30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04型号：30P04品牌：ASEMI封装：TO-220F批号：最新最大漏源电流：-30A漏源击穿电压：-40VRDS（ON）Max：17mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua特性：P沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的30P04MOS管 

编辑：ll65R420-ASEMI超洁MOS管65R420型号：65R420品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：8A漏源击穿电压：650V批号：最新RDS（ON）Max：0.42mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：超洁MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃65R420

编辑：ll65R330-ASEMI超洁MOS管65R330型号：65R330品牌：ASEMI封装：TO-220F批号：最新最大漏源电流：13A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：330mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、超洁MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的65R330MOS管  ASEM

编辑：llASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180型号：ASE100N10品牌：ASEMI封装：TO-220F批号：最新最大漏源电流：21A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：180mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、超洁MOS管漏电流：ua特性：P沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的ASE65R180MO

编辑：llASE200N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE200N03型号：ASE200N03品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：160A漏源击穿电压：30V批号：最新RDS（ON）Max：1.8mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-5

编辑：llASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03型号：ASE100N03品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：100A漏源击穿电压：30V批号：最新RDS（ON）Max：5.0mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-5

编辑：llASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10型号：ASE80N10品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：80A漏源击穿电压：100VRDS（ON）Max：9.5mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的ASE80N10

编辑：llASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03型号：ASE80N03品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：80A漏源击穿电压：30V批号：最新RDS（ON）Max：6.5mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~

编辑：llASE60N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE60N02型号：ASE60N02品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：60A漏源击穿电压：20VRDS（ON）Max：6mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的ASE60N02MOS

编辑：llASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06型号：ASE50N06品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：50A漏源击穿电压：60V批号：最新RDS（ON）Max：15mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~1

编辑：llASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03型号：ASE50N03品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：50A漏源击穿电压：30VRDS（ON）Max：5.8mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE50N03M

编辑：llASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02型号：ASE40N02品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：40A漏源击穿电压：20V批号：最新RDS（ON）Max：11.2mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃

编辑：llASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06型号：ASE30N06品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：30A漏源击穿电压：60VRDS（ON）Max：35mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE30N06MO

编辑：llASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10型号：ASE10N10品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：10A漏源击穿电压：100V批号：最新RDS（ON）Max：130mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃

编辑：llASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06型号：ASE50N06品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：50A漏源击穿电压：60VRDS（ON）Max：15mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE50N06MO

编辑：llASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S型号：ASE8N65S品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：8A漏源击穿电压：650V批号：最新RDS（ON）Max：1.25Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~15

编辑：llAO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A型号：AO3401A品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-4.2A漏源击穿电压：-30V批号：最新RDS（ON）Max：0.06Ω引脚数量：3沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、P沟道MOS管工作结温：-55℃

编辑：llAO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A型号：AO3400A品牌：ASEMI封装：SOT-23批号：最新最大漏源电流：5.8A漏源击穿电压：30VRDS（ON）Max：30mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的AO3400AMOS管

前段时间黑森林实验室发布的Flux-Tools虽然做了分享，但是一直没有仔细试一下。正好，今天有点时间，也换换脑子，一直做技术分享了，今天休闲一下，测试一下Flux-Fill+Flux-Redux的换装效果。先看完整工作流，如下：【环境采用的是Liblib】有需要comfyui整合包以及工作流，可以扫描下方，免

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编辑：llASE60P06-ASEMI场效应MOS管ASE60P06型号：ASE60P06品牌：ASEMI封装：TO-220批号：2024+沟道：N沟道导通内阻RDS（ON）Max：19mΩ启动电压：2V-4V最大漏源电流（Id）：60A漏源击穿电压（VRM）：60V安装方式：直插式封装正向电压：1.3V特性：低压N沟道MOS管产品引线数量：3产品内部芯片个数：2产品内部

编辑：llASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08型号：ASE180N08品牌：ASEMI批号：2024+沟道：N沟道导通内阻RDS（ON）Max：4.0mΩ启动电压：2V-4V最大漏源电流（Id）：180A漏源击穿电压（VRM）：80V正向电压：1.3V特性：低压N沟道MOS管引脚数量：3封装：TO-247工作温度:-55°C~175°C类型：低压MOS管、N沟