编辑：llAO3407-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3407型号：AO3407品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-4.1A漏源击穿电压：-30V批号：最新RDS（ON）Max：65mΩ引脚数量：3沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、P沟道MOS管工作结温：-55℃~150

编辑：llAO3404-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3404型号：AO3404品牌：ASEMI封装：SOT-23批号：最新最大漏源电流：5.8A漏源击穿电压：30VRDS（ON）Max：30mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的AO3404MOS管 

编辑：llAO3401-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401型号：AO3401品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-4.2A漏源击穿电压：-30V批号：最新RDS（ON）Max：60mΩ引脚数量：3沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、P沟道MOS管工作结温：-55℃~150

编辑：llASE60P06-ASEMI场效应MOS管ASE60P06型号：ASE60P06品牌：ASEMI封装：TO-220批号：2024+沟道：N沟道导通内阻RDS（ON）Max：19mΩ启动电压：2V-4V最大漏源电流（Id）：60A漏源击穿电压（VRM）：60V安装方式：直插式封装正向电压：1.3V特性：低压N沟道MOS管产品引线数量：3产品内部芯片个数：2产品内部

编辑：llASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08型号：ASE180N08品牌：ASEMI批号：2024+沟道：N沟道导通内阻RDS（ON）Max：4.0mΩ启动电压：2V-4V最大漏源电流（Id）：180A漏源击穿电压（VRM）：80V正向电压：1.3V特性：低压N沟道MOS管引脚数量：3封装：TO-247工作温度:-55°C~175°C类型：低压MOS管、N沟

编辑：llASE160N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE160N08型号：ASE160N08品牌：ASEMI封装：TO-247批号：2024+沟道：N沟道导通内阻RDS（ON）Max：4.2mΩ启动电压：2V-4V最大漏源电流（Id）：160A漏源击穿电压（VRM）：80V安装方式：直插式封装正向电压：1.3V特性：低压N沟道MOS管产品引线数量：3产品内部芯片个数：2

参数定义功率器件参数主要是指静态直流参数，是本身固有的，与其工作条件无关的电学参数，以MOS管为例，主要包括：门极开关电压（VGSTH、VGSON、VGSOFF），漏-源击穿电压（BVDSS）、零栅压漏极电流（IDSS）、栅源漏电流（IGSS）、导通内阻（RDSON）、寄生电容（输入电容Ciss、输出电容Coss、发向传输电容Crss），以及以

编辑：llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号：IXFH4N100Q品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标准包装RDS低（打开）无

编辑：llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号：IXFA14N85XHV品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-263最大漏源电流：14A漏源击穿电压：850VRDS（ON）Max：550mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管特性：高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~1

编辑：llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号：IXFA14N85XHV品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-263最大漏源电流：14A漏源击穿电压：850VRDS（ON）Max：550mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管特性：高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管

编辑：llSPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3型号：SPW47N60C3品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-247最大漏源电流：47A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：70mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温

编辑：llSPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3型号：SPA17N80C3品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：17A漏源击穿电压：800VRDS（ON）Max：0.29Ω引脚数量：3特点新的革命性高压技术全球最佳RDS（上）在TO220中超低栅极电荷周期性雪崩额定值极限dv/dt额定值超低有效

编辑：llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号：IPA50R190CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：24.8A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.19Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-40℃~150

编辑：llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号：IMBF170R1K0M1品牌：英飞凌封装：TO-263最大漏源电流：31A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：99mΩ引脚数量：3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开关损耗基准栅极

编辑：llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号：IPA50R190CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：24.8A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.19Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管

编辑：llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号：IMBF170R1K0M1品牌：英飞凌封装：TO-263最大漏源电流：31A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：99mΩ引脚数量：3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开

编辑：llIPA65R650CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA65R650CE型号：IPA65R650CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：650mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工

编辑：llIPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP型号：IPB60R099CP品牌：英飞凌封装：TO-263最大漏源电流：31A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：99mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的IPB60R

编辑：llIPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R950C6型号：IPB60R950C6品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-263最大漏源电流：12A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.95Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管

编辑：llIPB64N25S3-20-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB64N25S3-20型号：IPB64N25S3-20品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-263最大漏源电流：64A漏源击穿电压：250VRDS（ON）Max：17.5mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结

编辑：llIPB64N25S3-20-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB64N25S3-20型号：IPB64N25S3-20品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-263最大漏源电流：64A漏源击穿电压：250VRDS（ON）Max：17.5mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、

编辑：ll20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60型号：20N60品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：20A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.42Ω引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高

编辑：ll10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65型号：10N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.9Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL

编辑：ll4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60型号：4N60品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：4A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：2.5Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns