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ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06
型号：ASE50N06
品牌：ASEMI
封装：TO-252
批号：最新
最大漏源电流：50A
漏源击穿电压：60V
RDS（ON）Max：15mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的ASE50N06 MOS管
ASEMI品牌ASE50N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE50N06的最大漏源电流50A，漏源击穿电压60V.
•细节体现差距
ASE50N06,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
ASE50N06具体参数为：最大漏源电流：50A，漏源击穿电压：60V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252
标签：MOS,ASE50N06,沟道,芯片,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18603011