编辑：llASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06型号：ASE50N06品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：50A漏源击穿电压：60V批号：最新RDS（ON）Max：15mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~1

编辑：llASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06型号：ASE50N06品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：50A漏源击穿电压：60VRDS（ON）Max：15mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE50N06MO