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30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04
型号：30P04
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
批号：最新
最大漏源电流：-30A
漏源击穿电压：-40V
RDS（ON）Max：17mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：P沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的30P04 MOS管
ASEMI品牌30P04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30P04的最大漏源电流-30A，漏源击穿电压-40V.
•细节体现差距
30P04，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
30P04具体参数为：最大漏源电流：-30A，漏源击穿电压：-40V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F
标签：30P04,MOS,沟道,芯片,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18672937