ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180

时间：2025-01-09 13:58:49浏览次数：1

标签：ASE65R180 MOS 超洁芯片 ASEMI 漏源

编辑：ll

型号：ASE100N10

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：21A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：180mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：P沟道MOS管、超洁MOS管

漏电流：ua

特性：P沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的ASE65R180 MOS管

ASEMI品牌ASE65R180是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE65R180的最大漏源电流21A，漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

ASE65R180，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE65R180具体参数为：最大漏源电流：21A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F

标签：ASE65R180,MOS,超洁,芯片,ASEMI,漏源
From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18661993

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