编辑：llASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180型号：ASE100N10品牌：ASEMI封装：TO-220F批号：最新最大漏源电流：21A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：180mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、超洁MOS管漏电流：ua特性：P沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的ASE65R180MO