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65R420-ASEMI超洁MOS管65R420
型号：65R420
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
最大漏源电流：8A
漏源击穿电压：650V
批号：最新
RDS（ON）Max：0.42mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：超洁MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
65R420场效应管
65R420的电性参数：最大漏源电流8A；漏源击穿电压650V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-550V，Id=15A
RDS（开）:420mΩ （最大值）@VG=10V
标签：MOS,超洁,沟道,65R420,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18672673