首页 > 其他分享 >碳化硅Mosfet &SiC Wafer &碳化硅功率模块 @助力AI电源领域

碳化硅Mosfet &SiC Wafer &碳化硅功率模块 @助力AI电源领域

时间:2025-01-14 17:58:51浏览次数:3  
标签:Mosfet Wafer AI 碳化硅 电源 SiC 提升 服务器 效率

AI服务器带动电源功率提升
AI服务器的GPU、ASIC等芯片元器件性能和功耗水平都在提升,功率较普通服务器高6到8倍,电源的性能和需求也将同步提升。

SiC MOS器件在AI电源中的应用优势

  1. 高效能‌:SiC材料具有优良的电气性能和耐高温特性,大幅提高转化效率,降低能耗‌。
  2. 高稳定性‌:在重负载运行下,SiC MOS器件能够保障电源的稳定转换效率,提升服务器的运算能力‌。
  3. 低损耗‌:相比传统硅材料,SiC能够将能量损失降低至50%以下,显著提高系统能效‌。
    随着AI技术的快速发展,AI服务器的电源需求急剧增加。传统电源配置常常导致供电不足、效率低下等问题,而SiC技术的应用有效解决了这些问题,提升了电源管理的效率和稳定性‌。SiC技术的开发,意味着企业不仅能够实现高效的电源管理,还能提升系统整体的散热及电流承载能力。显然,SiC在高功率设备中表现出色,其能承受更高的电压和温度,使得它成为AI服务器电源中理想的材料。​​​​​​​AI的发展推动了数据中心的扩张和对效率的要求。用电是数据中心的最大成本,因此,电源转换的效率格外重要。伴随AI、云计算、万物互联的需求上升,随之而来的要求就是更高的机架电源密度和向48V背板的转变。

标签:Mosfet,Wafer,AI,碳化硅,电源,SiC,提升,服务器,效率
From: https://blog.csdn.net/2401_89499464/article/details/145136508

相关文章

  • 碳化硅MOSFET:3300V/60A高压大电流助力特种电源
    3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率,使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。目前,成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几,据全网最新公开数据,爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MO......
  • 德普微一级代理 DP023N10TGN TOLL DPMOS N-MOSFET 100V 300A 1.75mΩ
    Features•UsesadvancedTrenchMOSFET-DPMOStechnology•Extremelylowon-resistanceRDS(on)•ExcellentQgxRDS(on)product(FOM)•QualifiedaccordingtoJEDECcriteriaProductSummaryPart#:DP023N10TGNVDS:100VRDS(on).typ:1.75m......
  • 德普微一级代理 DP038N04DGL TO-252 DPMOS N-MOSFET 40V 106A 3.5mΩ
    Features•UsesadvancedMOSFET-DPMOS2technology•Extremelylowon-resistanceRDS(on)•ExcellentQgxRDS(on)product(FOM)•QualifiedaccordingtoJEDECcriteriaProductSummaryPart#:DP038N04DGLVDS:40VRDS(on).typ(@VGS=10V)......
  • 德普微一级代理 DP040N04DTL TO-252 DPMOS N-MOSFET 40V 100A 3.2mΩ
    Features•UsesadvancedTrenchMOSFETtechnology•ExtremelylowRDS(on)/HighSpeedPowerSwitching•ExcellentQgxRDS(on)product(FOM)•QualifiedaccordingtoJEDECcriteriaProductSummaryPart#:DP040N04DTLVDS:40VRDS(on).......
  • MOSFET 场效应管:IRF4905(P沟道)、IRF3205(N沟道)
    在H桥电路中,同时用到IRF4905、IRF3205。 G-D-SGate栅极,Drain漏极,Source源极 IRF4905IRF3205P沟道 N沟道 通过调控栅极G电压(相对源S),形成电场,从而控制漏D-源S电流。P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出  触发:VGSth,-4......
  • SIC 碳化硅晶须:赋能高端陶瓷刀具的神奇 “因子”
    SIC碳化硅晶须在高端陶瓷刀具上的应用:开启切削新篇在现代制造业蓬勃发展的浪潮下,高端陶瓷刀具作为切削领域的一颗新星,正凭借其卓越性能崭露头角。而SIC碳化硅晶须的加入,更是为其注入了超强动力,让陶瓷刀具实现了质的飞跃。SIC碳化硅晶须,是一种具有高强度、高模量、耐高温......
  • 碳化硅晶须:特性、制备与应用
    碳化硅晶须作为一种高性能的无机材料,近年来在材料科学领域备受瞩目。其独特的微观结构赋予了它卓越的性能,在众多领域展现出巨大的应用潜力。本文将从碳化硅晶须的基本特性、制备方法、应用领域以及未来发展趋势等方面进行全方位阐述。一、碳化硅晶须的基本特性(一)微观结构碳......
  • 德普微一级代理 DP020N04FGLI DFN5*6 DPMOS N-MOSFET 40V 158A 1.7mΩ
    Features• Uses advancedDPMOS2 technology• Better RDS(on) enabled by alow RDSon.sp,low conduction losses• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)• Qualifiedaccordingto JEDEC criteriaProduct SummaryApplications• Battery manage......
  • 德普微一级代理 DP021N03FGLI DFN5*6 DPMOS N-MOSFET 30V 180A 1.8mΩ
    主要特点• Uses advanced MOSFET-DPMOS technology• Extremely low on-resistance RDS(on)• ExcellentQgxRDS(on) product(FOM)• Qualifiedaccording to JEDEC criteria (industrial grade)产品概述典型应用• Motorcontrol and drive• B......
  • 德普微一级代理 DP200N25PGNI DP200N25BGNI DPMOS N-MOSFET 250V 67A 17.5mΩ
    Features• Uses advancedDPMOS technology• Extremely low on-resistanceRDS(on)• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)• Qualifiedaccordingto JEDEC criteriaProduct SummaryApplications• Motor control anddrive• Battery management......