随着现代社会对高效能电子器件需求的迅速增加，材料科学的进步为电子领域带来了革命性的变化。特别是在高功率、高频率和高温环境下运行的电子器件中，对材料的热导率、耐高温性和电子迁移率等物理性能的要求愈发严格。碳化硅（SiC）作为一种新兴的宽禁带半导体材料，以其优异的热导率和热稳