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65R330-ASEMI超洁MOS管65R330
型号：65R330
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
批号：最新
最大漏源电流：13A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：330mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、超洁MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的65R330 MOS管
ASEMI品牌65R330是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了65R330的最大漏源电流13A，漏源击穿电压650V.
•细节体现差距
65R330，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
65R330具体参数为：最大漏源电流：13A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F
标签：65R330,MOS,超洁,芯片,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18670629