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ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10
型号：ASE10N10
品牌：ASEMI
封装：TO-252
最大漏源电流：10A
漏源击穿电压：100V
批号：最新
RDS（ON）Max：130mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
ASE10N10场效应管
ASE10N10的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压100V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-10V，Id=5A
RDS（开）:130mΩ （最大值）@VG=30V
标签：低压,MOS,ASE10N10,沟道,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18650094