• 2024-05-18ASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08
    编辑:llASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08型号:ASE180N08品牌:ASEMI批号:2024+沟道:N沟道导通内阻RDS(ON)Max:4.0mΩ启动电压:2V-4V最大漏源电流(Id):180A漏源击穿电压(VRM):80V正向电压:1.3V特性:低压N沟道MOS管引脚数量:3封装:TO-247工作温度:-55°C~175°C类型:低压MOS管、N沟
  • 2024-05-18ASE160N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE160N08
    编辑:llASE160N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE160N08型号:ASE160N08品牌:ASEMI封装:TO-247批号:2024+沟道:N沟道导通内阻RDS(ON)Max:4.2mΩ启动电压:2V-4V最大漏源电流(Id):160A漏源击穿电压(VRM):80V安装方式:直插式封装正向电压:1.3V特性:低压N沟道MOS管产品引线数量:3产品内部芯片个数:2
  • 2024-05-17ASE60P06-ASEMI低压P沟道MOS管ASE60P06
    编辑:llASE60P06-ASEMI低压P沟道MOS管ASE60P06型号:ASE60P06品牌:ASEMI导通内阻:19mΩ正向电流:-60A反向耐压:-60V封装:TO-220批号:最新安装类型:直插式封装引脚数量:3工作温度:-55°C~175°C类型:场效应二极管ASE60P06特性:良好的开关效率;低内在电容;正向压降低,功率损耗低隔
  • 2024-01-08安科瑞AM5-DB低压备自投装置在河北冠益荣信科技公司洞庭变电站工程中的应用
    摘要:随着电力需求的不断增加,电力系统供电可靠性要求越来越高,许多供电系统已具备两回或多回供电线路。备用电源自动投入装置可以有效提高供电的可靠性,该类装置能够在工作电源因故障断开后,自动且迅速地将备用电源投入到工作或将用户切换到备用电源上。本文介绍的AM5-DB低压备自投装
  • 2023-12-18世微 AP75XX 低压差线性稳压器 LDO 多种分装
    产品描述     AP75XX是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器。最高工作电压可达24V,有几种固定输出电压值,输出范围为2.8V~9.0V,具有较低的静态功耗,广泛用于各类音频、视频设备和通信等设备的供电。特点应用领域封装信息输出电压选型注:(XX代表输出电压)型号输出电压封
  • 2023-11-18AO3415-ASEMI低压MOS管AO3415参数、封装、尺寸
    编辑:llAO3415-ASEMI低压MOS管AO3415参数、封装、尺寸型号:AO3415品牌:ASEMI封装:SOT-23连续漏极电流(Id):4A漏源电压(Vdss):20V功率(Pd):1.5W芯片个数:1引脚数量:3类型:MOS管特性:P沟道MOS管、低压MOS管RDS(on):55mΩVGS:1.45封装尺寸:如图工作温度:-55°C~150°CAO3415特性:AO3415采用先进的沟槽
  • 2023-11-18AO3415-ASEMI低压MOS管AO3415参数、封装、尺寸
    编辑:llAO3415-ASEMI低压MOS管AO3415参数、封装、尺寸型号:AO3415品牌:ASEMI封装:SOT-23连续漏极电流(Id):4A漏源电压(Vdss):20V功率(Pd):1.5W芯片个数:1引脚数量:3类型:MOS管特性:P沟道MOS管、低压MOS管RDS(on):55mΩVGS:1.45封装尺寸:如图工作温度:-55°C~150°CAO3415特性:AO
  • 2023-11-17AO3401-ASEMI低压N沟道AO3401参数、规格、尺寸
    编辑:llAO3401-ASEMI低压N沟道AO3401参数、规格、尺寸型号:AO3401品牌:ASEMI连续漏极电流(Id):4.2A漏源电压(Vdss):30V功率(Pd):700mW芯片个数:1封装:SOT-23工作温度:-50°C~150°C引脚数量:3类型:P沟道、低压MOS管AO3401描述:AO3401-ED采用先进的设计技术,提供出色的RDS(ON)、低栅
  • 2023-11-17AO3400-ASEMI中低压MOS管AO3400参数、封装、尺寸
    编辑:llAO3400-ASEMI中低压MOS管AO3400参数、封装、尺寸型号:AO3400品牌:ASEMI封装:SOT-23连续漏极电流(Id):5.8A漏源电压(Vdss):30V功率(Pd):1.4W芯片个数:1引脚数量:3类型:MOS管特性:N沟道MOS管、中低压MOS管RDS(on):28mΩVGS:1.45封装尺寸:如图工作温度:-55°C~150°CAO3400
  • 2023-11-13模拟集成电路设计系列博客——3.4.3 低压降稳压器
    3.4.3低压降稳压器当稳压器输出必须要仅比\(V_{DD}\)低\(200-400mV\),并且无法低阈值电压(\(V_t\)接近零)的NMOS器件时,有必要使用一个PMOS器件作为\(Q_1\)。如下图所示,在这个例子中,栅电压\(V_1\)低于\(V_{DD}\),稳压器压只受到\(V_{eff,1}\)限制,这个电路被称为低压降稳压器(LDO),是电路
  • 2023-09-18低压电路-电源-电路与信号
    电场-磁场电源直流电交流电--三相电电磁波电子-电荷-电流-电压电阻电容电感晶体管电路信号线主要就是用来传递信号的线路,而电源线主要就是用来连接电源的线路信号线主要就是有规律并且带有信息的电信号测量和原理功率电流定律电压定律
  • 2023-08-29低压电工证理论学习 Day1
    第一节电荷与电场电荷(Q)单位为库伦;电子(e)(负电荷)失去电子为带电正电荷,得到电子为带电负电荷。e=1.6×10的-19c。 电场电荷周围存在电场。F=QE,Q=电荷量,E=电场强度,F=电场力。电场强度E=F/Q=U/d,单位为V/m(伏每米)。空气电场强度超25~30KV/cm时,可能发生击穿放电。 电位与电压
  • 2023-07-05硬件知识之(低压差线性稳压器)LDO的选择
    .低压差线性稳压器低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器最大的不同点在于,低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet,肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护
  • 2023-06-06低压压力开关行业市场现状调研及发展趋势分析报告
    2023-2029全球低压压力开关行业调研及趋势分析报告2022年全球低压压力开关市场规模约亿元,2018-2022年年复合增长率CAGR约为%,预计未来将持续保持平稳增长的态势,到2029年市场规模将接近亿元,未来六年CAGR为%。从核心市场看,中国低压压力开关市场占据全球约%的市场份额,为全球最主
  • 2023-05-12TMS320F28335主控 EtherCAT伺服方案 EtherCAT低压伺服
    TMS320F28335主控EtherCAT伺服方案EtherCAT低压伺服,提供TIDSP和FPGA源码和PDF原理图。ID:52100680262519343
  • 2023-05-05浅析电弧光保护在高压用电系统中的设计应用方案
    安科瑞虞佳豪开关柜和控制柜内电弧的发生主配电柜或大型的电气设备(如变压器或发电机)附近短路能量高而且有故障产生时的电压也很高。在柜体内形成电弧的过程可分为四个阶段:压缩阶段:电弧占据了整个空气空间,由于持续的释放能量产生过热,导致对流和辐射,保留在柜内的空气
  • 2023-05-04浅谈中压系统母线弧光保护的必要性
     罗轩志江苏安科瑞微电网研究院有限公司  江苏江阴  214432   摘要:本文介绍了中低压开关柜内部发生电弧故障的原因、危害以及弧光保护在中压母线保护中的原理、用途、应用关键点,同时还介绍了弧光保护应用现状,探讨了无线测温在线监测系统在实际工作场景中的应用案例,证明了
  • 2023-04-10爱学习的人,做低压胶管销售业绩不会差
    为了更好的做好自家大口径胶管销售,更好的服务好找橡胶管王雪燕采购大口径胶管的小伙伴,不远万里来上海学习。找橡胶管王雪燕采购低压胶管,质量比保险公司还保险,服务比客户还客户。橡胶管王雪燕出差上海学习,也不耽误接单发货。今天总共发了6批次低压胶管,在线接了6个低压胶管订单。都
  • 2023-04-07低压无感BLDC方波控制,全部源码 ADC方案
    低压无感BLDC方波控制,全部源码,方便调试移植1.通用性极高,图片中的电机,一套参数即可启动。2.ADC方案3.电转速最高12w4.电感法和普通三段式5.按键启动和调速6.开环,速度环,限流环7.参数调整全部宏定义,方便调试代码全部源码YID:2879679186284652
  • 2023-03-29低压无感BLDC方波控制,全部源码,方便调试移植
    低压无感BLDC方波控制,全部源码,方便调试移植1.通用性极高,图片中的电机,一套参数即可启动。2.ADC方案3.电转速最高12w4.电感法和普通三段式5.按键启动和调速6.开环,速
  • 2023-03-14ASEMI低压MOS管SI2301参数,SI2301体积,SI2301尺寸
    编辑-ZASEMI低压MOS管SI2301参数:型号:SI2301漏极-源极电压(VDS):20V栅源电压(VGS):8V漏极电流(ID):2.3A功耗(PD):1.25W储存温度(Tstg):-55to150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):120mΩ
  • 2023-03-04SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301
    编辑:llSI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301型号:SI2301品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:-2.2A漏源击穿电压:-20VRDS(ON)Max:0.13Ω引脚数量:3沟道类型:P沟道MOS管芯片尺
  • 2023-02-22ASEMI低压MOS管ASE50N03参数,ASE50N03封装
    编辑-ZASEMI低压MOS管ASE50N03参数:型号:ASE50N03漏极-源极电压(VDS):30V栅源电压(VGS):20V漏极电流(ID):50A功耗(PD):60W储存温度(Tstg):-55to150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):5.8m
  • 2023-02-21浅谈医院低压供配电系统的故障分析与预防
    摘要:医院是重要的用电场所,要求低压供配电系统稳定可靠运行,但在实际工作中,也会出现一些的问题,一旦医院低压供配电系统出现故障,就会发生事故,而故障无法处理,就会导致医院用电设
  • 2023-02-20ASEMI低压MOS管50N06S,50N06S图片,50N06S尺寸
    编辑-ZASEMI低压MOS管50N06S参数:型号:50N06S漏极-源极电压(VDS):60V栅源电压(VGS):25V漏极电流(ID):50A功耗(PD):85W储存温度(Tstg):-55to175℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):15mΩ二