ASE60P06-ASEMI场效应MOS管ASE60P06

时间：2024-05-25 16:22:23浏览次数：18

标签：场效应 MOS 沟道 ASE60P06 ASEMI 漏源

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型号：ASE60P06

品牌：ASEMI

封装：TO-220

批号：2024+

沟道：N沟道

导通内阻RDS（ON）Max：19mΩ

启动电压：2V-4V

最大漏源电流（Id）：60A

漏源击穿电压（VRM）：60V

安装方式：直插式封装

正向电压：1.3V

特性：低压N沟道MOS管

产品引线数量：3

产品内部芯片个数：2

产品内部芯片尺寸：MIL

峰值正向漏电流：<10ua

工作结温：-55℃~175℃

包装方式：500/盒：3000/箱

ASE60P06应用领域

电源适配器

中小功率家电

开关电源

家用电器

办公设备

标签：场效应,MOS,沟道,ASE60P06,ASEMI,漏源
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