编辑：llASE60P06-ASEMI场效应MOS管ASE60P06型号：ASE60P06品牌：ASEMI封装：TO-220批号：2024+沟道：N沟道导通内阻RDS（ON）Max：19mΩ启动电压：2V-4V最大漏源电流（Id）：60A漏源击穿电压（VRM）：60V安装方式：直插式封装正向电压：1.3V特性：低压N沟道MOS管产品引线数量：3产品内部芯片个数：2产品内部

编辑：llASE60P06-ASEMI低压P沟道MOS管ASE60P06型号：ASE60P06品牌：ASEMI导通内阻：19mΩ正向电流：-60A反向耐压：-60V封装：TO-220批号：最新安装类型：直插式封装引脚数量：3工作温度:-55°C~175°C类型：场效应二极管ASE60P06特性：良好的开关效率；低内在电容；正向压降低，功率损耗低隔