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AO3401-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401
型号：AO3401
品牌：ASEMI
封装：SOT-23
最大漏源电流：-4.2A
漏源击穿电压：-30V
批号：最新
RDS（ON）Max：60mΩ
引脚数量：3
沟道类型：P沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、P沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
AO3401场效应管
AO3401的电性参数：最大漏源电流-4A；漏源击穿电压-30V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-30V，Id=-4A
RDS（开）:60mΩ （最大值）@VG=-30V
标签：MOS,沟道,30V,ASEMI,AO3401,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18556788