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ASEMI高压MOS管10N65参数:
型号:10N65
漏极-源极电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):30V
漏极电流(ID):10A
功耗(PD):65W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.9Ω
二极管正向电压(VSD):1.4V
输入电容(Ciss):1500pF
二极管反向恢复时间(trr):320nS
10N65封装规格:
封装:TO-220
总长度:28.57mm
本体长度:15.87mm
宽度:10.66mm
高度:5.0mm
脚间距:2.54mm
10N65特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷:Qg=35nC(典型值)。
BVDSS=650伏,ID=10A
R DS(ON):0.9Ω(最大值)@V G=10V
100%雪崩测试
标签:0.9,封装,MOS,mm,10N65,ASEMI From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17204057.html