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16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60
型号：16N60
品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：16A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：0.17Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的16N60 MOS管
ASEMI品牌16N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了16N60的最大漏源电流16A，漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
16N60,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
16N60具体参数为：最大漏源电流：16A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220
标签：MOS,16N60,沟道,芯片,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17198328.html