首页 > 其他分享 >12N60-ASEMI高压MOS管12N60

12N60-ASEMI高压MOS管12N60

时间:2023-03-07 16:45:25浏览次数:37  
标签:12N60 MOS mm ASEMI 电流 正向

编辑-Z

12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.7Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗(PD)为125W。12N60的电性参数是:正向电流(Io)为12A,漏极-源极击穿电压为600V,二极管正向电压(VSD)为1.5V,其中有3条引线。

 

12N60参数描述

型号:12N60

封装:TO-220

特性:N沟道高压MOS管

电性参数:12A 600V

正向电流(Io):12A

静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.7Ω

功耗(PD):125W

二极管正向电压(VSD):1.5V

最大脉冲正向电流ISM:48A

零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

 

 

12N60是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm,脚间距为2.54mm。

 

以上就是关于12N60-ASEMI高压MOS管12N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

标签:12N60,MOS,mm,ASEMI,电流,正向
From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17188562.html

相关文章

  • ASEMI高压MOS管10N60参数,10N60特征,10N60大小
    编辑-ZASEMI高压MOS管10N60参数:型号:10N60漏极-源极电压(VDS):600V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):10A功耗(PD):125W储存温度(Tstg):-55to150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.85Ω二......
  • AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415
    编辑:llAO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415型号:AO3415品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:-5A漏源击穿电压:-20VRDS(ON)Max:0.055Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:P沟道MOS管、低压MOS管......
  • MOSS对话式大型语言模型
    MOSS是复旦大学自然语言处理实验室发布的一种类似于ChatGPT的会话语言模型。MOSS能够按照用户的指示执行各种自然语言任务,包括回答问题、生成文本、摘要文本、生成代码等。......
  • 4N60-ASEMI高压MOS管4N60
    编辑-Z4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-......
  • ASEMI高压MOS管7N60参数,7N60封装,7N60规格
    编辑-ZASEMI高压MOS管7N60参数:型号:7N60漏极-源极电压(VDS):600V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):7A功耗(PD):125W储存温度(Tstg):-55to150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):1.2Ω二极管正向电压(VS......
  • AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401
    编辑:llAO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401型号:AO3401品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:-4.2A漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Max:0.05Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:P沟道MOS管......
  • AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401
    编辑:llAO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401型号:AO3401品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:-4.2A漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Max:0.05Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:P沟道MOS管、低压MOS管......
  • CF1793 Codeforces Round 852 (Div. 2) D. Moscow Gorillas
    https://codeforces.com/contest/1793/problem/D对于给定的两个长度为\(n\)的排列\(a_i,b_i\),定义\(MEX(S)\)为集合\(S\)中没有出现的最小的正整数,找出所有满足......
  • SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302
    编辑:llSI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302型号:AO3401品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:2.9A漏源击穿电压:20VRDS(ON)Max:0.045Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管......
  • SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302
    编辑:llSI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302型号:AO3401品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:2.9A漏源击穿电压:20VRDS(ON)Max:0.045Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:N沟道MOS管......