编辑：ll12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60型号：12N60品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：12A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.68Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL

编辑：ll12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60型号：12N60品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：12A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.68Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时

编辑-Z12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范