AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415

时间：2023-03-07 11:03:09浏览次数：34

标签：MOS 沟道芯片 AO3415 ASEMI 漏源

编辑：ll

型号：AO3415

品牌：ASEMI

封装：SOT-23

最大漏源电流：-5A

漏源击穿电压：-20V

RDS（ON）Max：0.055Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管

漏电流：ua

特性：P沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的AO3415 MOS管

ASEMI品牌AO3415是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3415的最大漏源电流-5A，漏源击穿电压-20V.

•细节体现差距

AO3415,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

AO3401具体参数为：最大漏源电流：-4.2A，漏源击穿电压：-30V，反向恢复时间： ns，封装：SOT-23

AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415_MOS管

AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415_AO3415_02

AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415_MOS管_03

标签：MOS,沟道,芯片,AO3415,ASEMI,漏源
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