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SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301
型号：SI2301
品牌：ASEMI
封装：SOT-23
最大漏源电流：-2.2A
漏源击穿电压：-20V
RDS（ON）Max：0.13Ω
引脚数量：3
沟道类型：P沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、P沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
SI2301场效应管
SI2301的电性参数：最大漏源电流-2.2A；漏源击穿电压-20V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=500V，Id=40A
RDS（开）:0.13mΩ （最大值）@VG=10V
标签：低压,MOS,沟道,SI2301,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17178275.html