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ASEMI高压MOS管60R380参数：
型号：60R380
漏极-源极电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：11A
功耗（PD）：65W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω
二极管正向电压（VSD）：1.5V
输入电容（Ciss）：760pF
二极管反向恢复时间（trr）：270nS
60R380封装尺寸：
封装：TO-252-2L
总长度：10.35mm
本体长度：6.25mm
宽度：6.75mm
高度：2.4mm
脚间距：2.34mm
60R380特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=34nC（典型值）。
BVDSS=600V，ID=11A
RDS（开）:0.3 8Ω （最大值）@VG=10V
100%雪崩测试
标签：600V,RDS,MOS,mm,60R380,ASEMI From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17148687.html