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ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330
型号:ASE65R330
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
最大漏源电流:12.5A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:0.33mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
ASE65R330场效应管
ASE65R330的电性参数:最大漏源电流12A;漏源击穿电压650V
特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=650V,Id=12.5A
RDS(开):0.33mΩ (最大值)@VG=10V
标签:MOS,沟道,650V,ASEMI,ASE65R330,漏源 From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17143266.html