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ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330

时间:2023-02-22 09:56:38浏览次数:37  
标签:MOS 沟道 650V ASEMI ASE65R330 漏源

编辑:ll

ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330

型号:ASE65R330

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

最大漏源电流:12.5A

漏源击穿电压:650V

RDS(ON)Max:0.33mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

ASE65R330场效应管

ASE65R330的电性参数:最大漏源电流12A;漏源击穿电压650V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=650V,Id=12.5A

RDS(开):0.33mΩ (最大值)@VG=10V

 

标签:MOS,沟道,650V,ASEMI,ASE65R330,漏源
From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17143266.html

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