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ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.4Ω,是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗(PD)为239W。ASE20N60的电性参数是:正向电流(Io)为20A,漏极-源极击穿电压为600V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。
ASE20N60参数描述
型号:ASE20N60
封装:TO-247
特性:N沟道高压MOS管
电性参数:20A 600V
正向电流(Io):20A
静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.4Ω
功耗(PD):239W
二极管正向电压(VSD):1.4V
最大脉冲正向电流ISM:80A
零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
ASE20N60是TO-247封装系列。它的本体长度为21.1mm,加引脚长度为41.42mm,宽度为16.13mm,高度为5.21mm,脚间距为5.44mm。
以上就是关于ASE20N60-ASEMI的MOS管ASE20N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
标签:MOS,ASE20N60,mm,ASEMI,电流,正向 From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17138006.html