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ASEMI高压MOS管4N65SE参数：
型号：4N65SE
漏极-源极电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：30V
漏极电流（ID）：4A
功耗（PD）：50W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω
二极管正向电压（VSD）：1.4V
输入电容（Ciss）：560pF
二极管反向恢复时间（trr）：393nS
4N65SE封装规格：
封装：TO-220F
总长度：28.8mm
本体长度：15.87mm
宽度：10.16mm
高度：4.7mm
脚间距：2.54mm
4N65SE特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=14nC（典型值）。
BVDSS=650伏，ID=4A
R DS（开）:2.50Ω （最大值）@V G=10V
100%雪崩测试
