编辑：ll
ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT
型号：FGH60N60SMD
品牌：ON/安森美
封装：TO-247
最大漏源电流：60A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：mΩ
引脚数量：3
特性：IGBT二极管
芯片个数：
沟道类型：
漏电流：ua
特性：IGBT、二极管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的FGH60N60SMD二极管
安森美品牌FGH60N60SMD是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了FGH60N60SMD的最大漏源电流60A，漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
FGH60N60SMD,艾赛斯品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
FGH60N60SMD具体参数为：最大漏源电流：60A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247
