安森美IDE（基于Eclipse）报头文件缺少，但是能正常跳转到头文件在这里面将路径包含进来，建议两个都添加一次  在项目上点击右键，然后点击Index下的Rebuild重建 

第一步先拉bootloader工程，然后通过jlink将bootloader下载到芯片中第二步在bootloader工程下有一个utility文件夹，该文件夹下有一个updater的文件。使用命令行执行该文件可以将.fota固件通过串口烧录芯片中pythonupdater.pyCOM3ble_peripheral_server_fota.fota 第三

编辑-ZFQL40N50参数描述：型号：FQL40N50漏源电压VDSS：500V漏极电流ID：40A漏极电流-脉冲IDM：160A栅极-源极电压VGSS：±30V功耗PD：460W操作和储存温度范围TJ,TSTG：-55to+150℃零栅极电压漏极电流IDSS：1uA栅极阈值电压VGS(th)：5V静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω输入电容Ciss：5800

编辑：llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号：FQL40N50品牌：ON/安森美封装：TO-264最大漏源电流：40A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：110mΩ引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A，500V，RDS(on)=110mΩ（最大值）（VGS=10V且ID=20A时）低栅极电荷（

编辑：llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号：FQL40N50品牌：ON/安森美封装：TO-264最大漏源电流：40A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：110mΩ引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A，500V，RDS(on)=110mΩ（最大值）（VGS=10V且ID=20A

编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：型号：FGH60N60SFD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：378W工作结温度

编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：型号：FGH60N60SFD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：378W

编辑-Z安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数：型号：FGH60N60SMD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A最大功耗（PD）：600W

编辑：llASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT型号：FGH60N60SMD品牌：ON/安森美封装：TO-247最大漏源电流：60A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：mΩ引脚数量：3特性：IGBT二极管芯片

编辑：llASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT型号：FGH60N60SMD品牌：ON/安森美封装：TO-247最大漏源电流：60A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：mΩ引脚数量：3特性：IGBT

提供Meter-Bus/M-Bus收发器的半导体厂商包括德州仪器（TI）、安森美（ON)。mingdu.zhengatgmaildotcom德州仪器​​TSS521​​​​TSS721A​​安森美​​NCN5150​​​​NCN51

编辑-Z随着车规级mos管的应用得到全面推广，在不同工作环境中广泛应用的普及，这导致生产加工行业受到发展的带动，各种不同类型的品种层出不穷，为了工作中具有强大的优势和特点，

编辑：llFCH041N65F安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：FCH041N65F品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：137A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MOS

编辑：llNVHL040N65S3F安森美车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：NVHL040N65S3F品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：99.6A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.24Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MO

编辑-ZON/安森美ISL9R3060G2车规FRD参数：型号：ISL9R3060G2重复峰值反向电压（VRRM）：600V平均正向电流（IF）：30A浪涌非重复正向电流（IFSM）：325A功耗（PD）：200W操作和储存温度范围（TJ,T

编辑-ZON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数：型号：FGH40N60SMD二极管正向电流（IF）：40A功耗（Ptot）：349W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~175℃集电极到发射极电压（VCES）：600VG−E

编辑-ZON/安森美NVHL040N65S3F车规级MOS管参数：型号：NVHL040N65S3F连续漏极电流（ID）：65A功耗（Ptot）：446W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极