编辑-Z
ON/安森美NVHL040N65S3F车规级MOS管参数：
型号：NVHL040N65S3F
连续漏极电流（ID）：65A
功耗（Ptot）：446W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：650V
栅极阈值电压V(GS)th：3V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA
栅源漏电流（IGSS）：±100nA
漏源导通电阻RDS(on)：33.8mΩ
输入电容（Ciss）：5875pF
输出电容（Coss）：140pF
二极管正向电压（VSD）：1.3V
反向恢复时间（trr）：159ns
NVHL040N65S3F是为最小化传导损耗、提供卓越的开关性能和承受极端dv/dt速率而量身定制的。因此，NVHL040N65S3F非常适合各种小型化和高效率的电力系统。NVHL040N65S3F优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外元件，提高系统可靠性。
NVHL040N65S3F特征：
700V@TJ=150°C
典型值RDS（on）=33.8mΩ
超低栅电荷（典型值Qg=153nC）
低有效输出电容（典型值Coss（eff.）=1333 pF）
100%雪崩测试
NVHL040N65S3F应用：
汽车车载充电器HEV−EV
汽车DC/DC转换器HEV−EV
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
标签：车规级,MOS,安森美,典型值,原厂,NVHL040N65S3F From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16791916.html