FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50

时间：2023-06-12 12:00:48浏览次数：53

标签：40A MOS 110m 沟道 FQL40N50 安森美

编辑：ll

型号：FQL40N50

品牌：ON/安森美

封装：TO-264

最大漏源电流：40A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：110mΩ

引脚数量：3

工作温度：-55℃~150℃

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

FQL40N50特点

40A，500V，RDS(on)= 110mΩ（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 20A 时）低栅极电荷（典型值低100% 经过雪崩击穿测试FQL40N50概述：

FQL40N50是N沟道增强型功率

应用

照明

小家电

电源

智能家居

FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50_MOS管

FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50_安森美_02

FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50_FQL40N50_03

标签：40A,MOS,110m,沟道,FQL40N50,安森美
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FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
编辑：llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号：FQL40N50品牌：ON/安森美封装：TO-264最大漏源电流：40A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：110mΩ引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A，500V，RDS(on)=110mΩ（最大值）（VGS=10V且ID=20A......
数字电路基础(6)——CMOS的动态特性
上面的文章介绍完了CMOS门电路的基本构造，但我们分析的时候，给电路的输入信号都是不变的，展示的是门电路在稳定时候的特性，现在我们要把输入信号变成动态变化的信号，观察CMOS电路在动态变化时候的特性。另外，本小节涉及到模拟的特性，本来是应该拿着实物的逻辑门芯片搭电路用示波器观察......
数字电路基础(5)——CMOS基本电路
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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
编辑：llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号：IXFH4N100Q品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标准包装RDS低（打开）无......
IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
编辑：llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号：IXFH4N100Q品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标......
IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
编辑：llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号：IXFA14N85XHV品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-263最大漏源电流：14A漏源击穿电压：850VRDS（ON）Max：550mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管特性：高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~1......
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编辑：llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号：IXFA14N85XHV品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-263最大漏源电流：14A漏源击穿电压：850VRDS（ON）Max：550mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管特性：高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管......
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