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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
型号:IXFH4N100Q
品牌:IXYS/艾赛斯
封装:TO-247
最大漏源电流:4A
漏源击穿电压:1000V
RDS(ON)Max:3Ω
引脚数量:3
工作温度:-55℃~150℃
沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管
IXFH4N100Q特点
低栅极电荷和电容
-更易于驾驶
-更快的切换
国际标准包装
RDS低(打开)
无阻尼感应开关(UIS)
额定的,额定的
可燃性分类
IXFH4N100Q概述:
IXFH4N100Q是最受欢迎的功率MOSFET适用于硬开关和谐振模式应用,提供低栅极电荷和快速本征二极管的优异耐用性。有许多标准工业包装可供选择,包括隔离型。