对于考研党来说，择校应该是备考过程中最纠结的一件事情了。这几年来影响院校选择的情况愈加复杂多变，单一志愿的限制下，如何预测报名走向，如何选择院校才能够成功上岸，不像是一个人的战斗，更像是一场几百万人的博弈。并且近两年很多考生在“死磕名校”和“保守报考”之间的选择也变得难以

编辑：llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号：IXFH4N100Q品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标准包装RDS低（打开）无

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编辑：llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号：IXFA14N85XHV品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-263最大漏源电流：14A漏源击穿电压：850VRDS（ON）Max：550mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管特性：高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~1

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编辑-Z艾赛斯硅肖特基二极管DSA300I100NA参数：型号：DSA300I100NA最大重复反向阻断电压（VRRM）：100V反向电流、漏极电流（IR）：3mA正向电压降（VF）：0.99V平均正向电流（IF）：300A总功耗（Ptot）：830W最

编辑-Z艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数：型号：IXYB82N120C3H1漏极-源极电压（VCES）：1200V连续漏电流（IC）：82A功耗（PC）：1040W工作结温度（TJ）：-55to+150℃零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA输入电

编辑-Z艾赛斯硅肖特基二极管DSA300I100NA参数：型号：DSA300I100NA最大重复反向阻断电压（VRRM）：100V反向电流、漏极电流（IR）：3mA正向电压降（VF）：0.99V平均正向电流（IF）：300A总功耗（Pt

编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数：型号：IXFK32N100P漏极-源极电压（VDS）：1000V连续漏电流（ID）：32A功耗（PD）：960W工作结温度（TJ）：-55to+150℃零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA

编辑：llASEMI代理IXFK32N100P、IXYS/艾赛斯车规级MOS管型号：IXFK32N100P品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-264最大漏源电流：32A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：320mΩ引脚数量：3特性：

编辑：llASEMI代理DSP25-12A、IXYS/艾赛斯整流二极管型号：DSP25-12A品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247正向电流：25A反向电压：1200V引线数量：3芯片个数：2芯片尺寸：110MIL漏电流：20

编辑-ZDS145-16A用的TO-247-2封装，是艾赛斯一款汽车用超快恢复高压二极管。DS145-16A的总功耗（Ptot）为270W，反向电流，漏电流（IR）为40uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。DS145-1

编辑-ZDS145-16A用的TO-247-2封装，是艾赛斯一款汽车用超快恢复高压二极管。DS145-16A的总功耗（Ptot）为270W，反向电流，漏电流（IR）为40uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。DS145

编辑-ZIXYS/艾赛斯DS145-16A车规FRD参数：型号：DS145-16A最大重复反向闭锁电压（VRRM）：1600V反向电流，漏电流（IR）：40uA正向电压降（VF）：1.26V平均正向电流（IF）：45A总功耗（Ptot）：270W最大正向浪涌