首页 > 其他分享 >ASEMI代理艾赛斯二极管DSA300I100NA,肖特基DSA300I100NA

ASEMI代理艾赛斯二极管DSA300I100NA,肖特基DSA300I100NA

时间:2022-11-19 16:00:28浏览次数:54  
标签:mm 电流 二极管 肖特基 ASEMI 赛斯 DSA300I100NA

编辑-Z

艾赛斯硅肖特基二极管DSA300I100NA参数:

型号:DSA300I100NA

最大重复反向阻断电压(VRRM):100V

反向电流、漏极电流(IR):3mA

正向电压降(VF):0.99V

平均正向电流(IF):300A

总功耗(Ptot):830W

最大正向浪涌电流(IFSM):4.8kA

结电容(CJ):4.86nF

虚拟结温度(TVJ):-40~150℃

 

 

DSA300I100NA封装尺寸:

封装:SOT-227B

总长度:38.23mm

本体长度:31.88mm

宽度:25.25mm

高度:12.22mm

脚间距:15.11mm

 

 

DSA300I100NA特征:

非常低的Vf

极低的开关损耗

低Irm值

改善热性能

高可靠性电路操作

降低保护电路的低电压峰值

低噪声切换

 

 

DSA300I100NA应用

开关电源(SMPS)中的整流器

低压变流器中的续流二极管

标签:mm,电流,二极管,肖特基,ASEMI,赛斯,DSA300I100NA
From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16906286.html

相关文章

  • ASEMI代理艾赛斯DSP25-12A,整流二极管DSP25-12A
    编辑-Z艾赛斯整流二极管DSP25-12A参数:型号:DSP25-12A最大重复反向阻断电压(VRRM):1200V反向电流、漏极电流(IR):40uA正向电压降(VF):1.23V平均正向电流(IF):25A总功耗(Ptot):160W最大正向浪......
  • ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P,车规级MOS管IXFK32N100P
    编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数:型号:IXFK32N100P漏极-源极电压(VDS):1000V连续漏电流(ID):32A功耗(PD):960W工作结温度(TJ):-55to+150℃零栅极电压漏极电流(IDSS):50uA漏极源导通......
  • ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P,车规级MOS管IXFK32N100P
    编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数:型号:IXFK32N100P漏极-源极电压(VDS):1000V连续漏电流(ID):32A功耗(PD):960W工作结温度(TJ):-55to+150℃零栅极电压漏极电流(IDSS):50uA......
  • ASEMI代理艾赛斯DSP25-12A,整流二极管DSP25-12A
    编辑-Z艾赛斯整流二极管DSP25-12A参数:型号:DSP25-12A最大重复反向阻断电压(VRRM):1200V反向电流、漏极电流(IR):40uA正向电压降(VF):1.23V平均正向电流(IF):25A总功耗(Ptot):160W最......
  • MBR10200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR10200FAC
    编辑:llMBR10200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR10200FAC型号:MBR10200FAC品牌:ASEMI封装:ITO-220AC特性:肖特基二极管正向电流:10A反向耐压:200V恢复时间:5ns引脚数量:2芯片个数:1芯片......
  • MBR10200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR10200FAC
    编辑:llMBR10200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR10200FAC型号:MBR10200FAC品牌:ASEMI封装:ITO-220AC特性:肖特基二极管正向电流:10A反向耐压:200V恢复时间:5ns引脚数量:2芯......
  • ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET
    编辑-Z力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数:型号:LSIC1MO120E0080漏极-源极电压(VDS):1200V连续漏电流(ID):25A功耗(PD):214W工作结温度(TJ):-55to+175℃零栅极电压漏极电流(IDSS......
  • ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET
    编辑-Z力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数:型号:LSIC1MO120E0080漏极-源极电压(VDS):1200V连续漏电流(ID):25A功耗(PD):214W工作结温度(TJ):-55to+175℃零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA漏极......
  • ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET
    编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数:型号:IXTY02N50D-TRL漏极-源极电压(VDS):500V连续漏电流(ID):200mA功耗(PD):25W工作结温度(TJ):-55to+150℃零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA漏极......
  • MBR10200AC-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR10200AC
    编辑:llMBR10200AC-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR10200AC型号:MBR10200AC品牌:ASEMI封装:TO-220AC正向电流:10A反向电压:200V引线数量:2芯片个数:1芯片尺寸:86MIL漏电流:10ua......