二极管具有电流单向导通的特性，二极管可大致分为半导体二极管和真空二极管。半导体二极管是制作在半导体材料上的，并不具有实际的管状结构，而早期的二极管却真真切切地是被制作在玻璃管中的，它的工作原理也和半导体二极管不同。    1873年，弗雷德里克·格思里（Fr

    既聊完中国和西方的通信历史之后，咱们继续来看看与有线通信相对应的无线通信，至于有线通信线的类型这里就不多说，像电话线，光纤，电缆(用于有线电视信号传输、早期的计算机网络)等，这些都是有线通信的范围。今天，来看看无线通信。        有线传输通信解决了异地

今天要讲的是二极管，主要有以下步骤：了解分类、认得标识、功能应用、检测方法从功能上进行分类，二极管主要包括整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管、检波二极管、双向触发二极管等多种类型。在电路图中，二极管的标识通常由两部分构成。一部分是电图行符号，用于表明二

编辑：llMBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT型号：MBR20100FCT品牌：ASEMI封装：TO-220最大平均正向电流（IF）：20A最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V最大正向电压（VF）：0.80V工作温度：-65°C~175°C芯片个数：2芯片尺寸：mil正向浪涌电流（IFMS）：200AMBR20100FCT特性：低正向压降低功率损耗

文章目录一.概要二.电阻测量三.直流电压(单片机小系统板)电压的测量四.交流电压的测量五.二极管（发光二极管）正负极的测量六.电流(单片机小系统板)功耗的测量七.电路(单片机小系统板)通断检测八.数字万用表使用注意事项小结一.概要我们说的万用表一般都是数字式万用表

应用电路1：链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/527282578设计思路：前提：TX、RX均上拉利用NMOS管（2N7002）让TX所在的引脚为高电平的时候，MOS管不导通（各自上拉的状态）；让TX所在的引脚为低电平的时候，MOS管导通。  应用电路2：链接：一毛钱都不要的5V串口和3.3V串口通信电平转换电路

 4.7V至65V工作范围· –65V反向额定电压· 用于外部N沟道MOSFET的电荷泵· 20mV正向压降调节· 12V栅极驱动电压· 带启用输入· 驱动高侧外部N沟道MOSFET· 1μA关断电流（EN=低）· 60μA工作静态电流（EN=高）· 2.3-A峰值门关断电流· 0.75us内快

编辑：llMBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT型号：MBR10100FCT品牌：ASEMI封装：TO-220F最大平均正向电流（IF）：10A最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V最大正向电压（VF）：0.80V工作温度：-65°C~175°C反向恢复时间：5ns芯片个数：2芯片尺寸：50mil引脚数量：3正向浪涌电流（IFMS）：150A包装方式：5

编辑：llBD10100CS-ASEMI肖特基二极管BD10100CS型号：BD10100CS品牌：ASEMI封装：TO-252最大平均正向电流（IF）：10A最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V最大正向电压（VF）：0.80V工作温度：-65°C~175°C芯片个数：2芯片尺寸：mil正向浪涌电流（IFMS）：100ABD10100CS特性：低正向压降低功率损耗高效高浪

1 光电二极管器件工作模式工作模式偏置优点缺点光伏模式零偏最精确的线性运算响应速度慢光导模式反向实现更高的开关速度1、降低线性度2、存在少量的电流(称为暗电流)，它们甚至在没有光照度的情况下也会流动        可在运算放大器的同相

个人笔记：二极管交流转直流电流流动变化过程：虚线为未整流前的波形。加一个滤波电容

二极管   晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的

红外光电传感器ITR8307ITR8307外形特性快速响应时间高灵敏度非可见波长薄紧凑型无铅该产品本身将保持在符合RoHS的版本内描述ITR8307/S18/TR8是一种光反射开关，它包括一个GaAsIR-LED发射器和一个NPN光电晶体管，该晶体管具有短距离的高光敏接收器，在红外范围内工作

编辑：llSS820-ASEMI高耐压肖特基二极管SS820型号：SS820品牌：ASEMI封装：SMB最大平均正向电流（IF）：8A最大循环峰值反向电压（VRRM）：200V最大正向电压（VF）：0.85V工作温度：-55°C~150°C反向恢复时间：5ns芯片个数：1芯片尺寸：50mil引脚数量：2正向浪涌电流（IFMS）：150A包装方式：50/管1000/盘3000

编辑：llSF506-ASEMI高效恢复二极管SF506型号：SF506品牌：ASEMI封装：TO-252最大平均正向电流（IF）：5A最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V最大正向电压（VF）：1.50V工作温度：-55°C~150°C反向恢复时间：35ns芯片个数：1芯片尺寸：62mil正向浪涌电流（IFMS）：150ASF506特性：恢复时间短性能稳定正向压

二极管导通原理二极管一般是由P型半导体和N型半导体结合而成，如下所示P型半导体掺入大量3价原子，形成大量空穴，N型半导体掺入大量5价原子，形成大量电子。所以P型半导体和N型半导体结合时在结合处会发生电子和空穴的扩散运动（本质是电子扩散运动）N区电子向P区扩散移动，所以会在中间

整流桥参数主要有2个：电流和电压，如KBPC3510，就表示最大电流只能允许35A，最高电压为1000V，前面的表示电流，后面的表示电压。超过这个参数整流桥就有可能不能正常工作，之所以是有可能不能正常工作，是因为工厂在生产的时候都会把范围放大。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥

编辑：llMUR3060AC-ASEMI开关电源专用MUR3060AC型号：MUR3060AC品牌：ASEMI封装：TO-220AV正向电流（IF）：30A反向电压（VRRM）：600V正向电压（VF）：1.50V工作温度：-55°C~150°C恢复时间：35ns芯片个数：1引脚数量：3芯片尺寸：86mil浪涌电流（IFMS）：200AMUR3060AC特性：恢复时间短性能稳定正向压降低

编辑：llMUR1060D-ASEMI开关电源专用MUR1060D型号：MUR1060D品牌：ASEMI封装：TO-252正向电流（IF）：10A反向电压（VRRM）：600V正向电压（VF）：1.30V工作温度：-55°C~150°C恢复时间：35ns芯片个数：1引脚数量：4芯片尺寸：86mil浪涌电流（IFMS）：170AMUR1060D特性：恢复时间短性能稳定正向压降低参数一

编辑：llSS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A型号：SS26A品牌：ASEMI封装：SMA最大平均正向电流（IF）：2A最大循环峰值反向电压（VRRM）：60V最大正向电压（VF）：0.70V工作温度：-50°C~125°C反向恢复时间：5ns芯片个数：1芯片尺寸：50mil正向浪涌电流（IFMS）：50ASS26A特性：恢复时间短性能稳定正向压降低

编辑：llMBR1040FCT-ASEMI超低VF值肖特基MBR1040FCT型号：MBR1040FCT品牌：ASEMI封装：TO-220F最大平均正向电流（IF）：10A最大循环峰值反向电压（VRRM）：40V最大正向电压（VF）：0.54V~0.70V工作温度：-65°C~175°C反向恢复时间：5ns芯片个数：2芯片尺寸：74mil正向浪涌电流（IFMS）：150AMBR1040FCT特性：

编辑：llMBR10200FCT-ASEMI驱动器专用MBR10200FCT型号：MBR10200FCT品牌：ASEMI封装：TO-220F最大平均正向电流（IF）：10A最大循环峰值反向电压（VRRM）：200V最大正向电压（VF）：0.54V~0.90V工作温度：-65°C~175°C反向恢复时间：5ns芯片个数：2芯片尺寸：122mil正向浪涌电流（IFMS）：150AMBR10200FCT特

1.稳压二极管*硅材料制成的面接触型晶体二极管*稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内)，端电压几乎不变，表现出稳压特性*广泛应用于稳压电源/限幅电路中2.稳压管伏安特性*稳压器伏安特性与普通二极管类似*稳压管正向特性为指

编辑：llMBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT型号：MBR20200FCT品牌：ASEMI封装：TO-220最大平均正向电流（IF）：20A最大循环峰值反向电压（VRRM）：200V最大正向电压（VF）：0.90V工作温度：-65°C~175°C反向恢复时间：5ns芯片个数：2芯片尺寸：130mil引脚数量：3正向浪涌电流（IFMS）：200A包装方式：5

编辑：llMBR40100PT-ASEMI肖特基二极管MBR40100PT型号：MBR40100PT品牌：ASEMI封装：TO-247最大平均正向电流（IF）：40A最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V最大正向电压（VF）：0.88V工作温度：-40°C~170°C反向恢复时间：5ns芯片个数：2芯片尺寸：130mil引脚数量：3正向浪涌电流（IFMS）：400A包装方式：50/