这个我发现这个的选型好像也存在点问题。选的对不对好像也不太行。
本次使用3.3V跟5V使用的TVS管：
3.3V本来选的是PESD3V3S1BA-N，不过看资料好像效果不算太好，本期间的关断电压是3.3V。下面是摘抄的资料
1. 反向关断电压（VR或VRWM）：
这是TVS二极管在不导通状态下所能承受的最高电压。
选型时，应确保VR略高于被保护电路的正常工作电压，以防止在正常工作时误触发。
(不能选取的过高，如果太高，钳位电压也会较高)
这个看来好像选的不太对，应该大于3.3V才行。所以我就研究了很久想选一个4V左右的管子，可惜好像没有，于是我在csdn找到了一位前辈的资料他给推荐的是东芝的5v，应该是没有4v左右的了，所以选了PESD5V0S1BA-N。
2. 击穿电压（VBR）：
击穿电压是指TVS二极管开始导通并起到保护作用时的电压值。
击穿电压应略高于反向关断电压，并且在电路的最大工作电压以下。
例如，对于一个最大工作电压为14V的电路，击穿电压应在15V到17V之间，如2TS14CA、2TS15CA、2TS16CA。
3. 箝位电压（VC）：
箝位电压是指TVS二极管在瞬态事件发生时将电压限制在安全范围内的电压值。
箝位电压越低，对电路的保护效果越好。
选型时，应确保箝位电压低于被保护器件的最大耐受电压。
4. 峰值脉冲电流（IPP）：
峰值脉冲电流是TVS二极管在规定的脉冲持续时间内所能承受的最大电流值。
选择IPP时，应确保其大于可能出现的瞬态电流峰值。
例如，对于一个可能产生100A脉冲电流的电路，TVS二极管的IPP应不低于100A。
5. 动态电阻（RD）：
动态电阻是指TVS二极管在击穿后导通时的电阻值。
动态电阻越低，TVS二极管的箝位效果越好。
因此，选择动态电阻较低的TVS二极管有助于提高电路的保护效果。
6. 封装形式和尺寸：
不同的应用场景对封装形式和尺寸有不同的要求。
例如，在空间受限的便携式设备中，SMD（表面贴装器件）封装的TVS二极管更为合适。
而在大功率设备中，选择更大封装尺寸的TVS二极管有助于提高散热性能和电流处理能力。
7. 工作温度范围：
TVS二极管的工作温度范围决定了其在不同环境条件下的适用性。
对于需要在极端温度条件下工作的设备，选择宽温区（如55°C至+150°C）的TVS二极管非常重要。
TVS管（瞬态抑制二极管）
1.1 工作原理
TVS管，全称为瞬态抑制二极管，是一种用于保护电路免受瞬态电压冲击的半导体器件。当电路中出现瞬态过电压时，TVS管会迅速导通，将过电压分流到地，保护下游电路元件。
1.2 参数选择
选择TVS管时，应考虑以下几个关键参数：
- 反向击穿电压（VBR）：选择比电路正常工作电压略高的VBR值。一般建议比最大工作电压高出20%-30%。
- 最大钳位电压（VC）：TVS管在瞬态过压时能钳位的最高电压。应确保VC低于被保护电路的耐受电压。
- 峰值脉冲电流（IPP）：TVS管能承受的最大瞬态脉冲电流。选择时应确保IPP大于可能出现的最大脉冲电流。
1.3 常用型号推荐
- SMBJ系列：适用于小功率电路保护，如SMBJ5.0A，SMBJ12A。
- SMAJ系列：适用于中等功率电路保护，如SMAJ24A，SMAJ58A。
- P6KE系列：适用于较大功率电路保护，如P6KE200A，P6KE400A。
补：记错了，我之前SIM只有图，没有说TVS管的事情。
之前的SIM卡电路，跟新添加的USB充电电路都会用到TVS管，这里做个添加。
串口充电电路。我采用了USB-TYPE-C-018作为USB充电，以及调试接口，所以需要添加TVS管防护，记得之前做心电模块测试时候emc测试时候出过问题，所以当时就进行了防护，因为是usb所以推荐的是sr05，记得需要添加2个来着，所以这次就变更为4路防护的CDSOT236-0504C。
旧电路是根据测试需求添加了SR05
不过因为usb-Type-C是双路的我们充电时候可以使用Type-C线，端口用到的Type-C座，所以就进行了变更，采用了4路的，资料里的图示为下图：加电阻的为跟电源隔离。
最后形成了电路：
因为本器件可以带有4路，所以SIM卡的电路我也打算用上。
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