- 2024-11-18肖特基二极管型号大全 选型轻松拿捏
很多小伙伴们问:“贵司生产的肖特基二极管有哪些型号?怎么选型好呢?有没有一份产品选型表呢?”为了能够满足各位小伙伴的需求,接下来,二三极管厂家东沃电子DOWOSEMI根据正向电流大小罗列出肖特基二极管典型型号,让选型的您不在盲目了,让我们一起来看看吧! 1A肖特基二极管典型型号√
- 2024-11-16杂散电感对二极管反向恢复期间影响_LTSPICE
前言二极管两端不加电压的时候本身就存在空间电荷区.当二极管接正向电压,空间电荷区被削弱,二极管正向导通.当二极管接反向电压,空间电荷区顺势增强,极大的阻碍了载流子移动,此时二极管截止.那么当二极管由正向导通转变为反向导通,空间电荷区从被削弱状态到空间电荷区变得更
- 2024-11-14MBR40150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR40150FCT
编辑:llMBR40150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR40150FCT型号:MBR40150FCT品牌:ASEMI封装:TO-247正向电流:40A反向电压:150V正向压降:0.95V~1.90V引线数量:3芯片个数:2芯片尺寸:MIL漏电流:10ua恢复时间:35ns浪涌电流:300A芯片材质:正向电压:1.90V封装尺寸:如图特性:快恢复二极管工作结
- 2024-11-14SBT40100VFCT-ASEMI低压降肖特基SBT40100VFCT
编辑:llSBT40100VFCT-ASEMI低压降肖特基SBT40100VFCT型号:SBT40100VFCT品牌:ASEMI封装:TO-220F特性:插件二极管正向电流:40A反向耐压:100V恢复时间:35ns引脚数量:3芯片个数:2芯片尺寸:MIL浪涌电流:300A漏电流:10ua工作温度:-65℃~150℃包装方式:500/盘;5000/箱备受欢迎的SBT40100V
- 2024-11-10硬件基础知识补全计划【四】通用、整流和肖特基二极管
一、二极管概念1.1PN结二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。二极管有两个电极,正极,又叫阳极;负极,又叫阴极,给二极管两极间加上正向电压时,二极管导通,加上反向电压时,二极管截止。二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。二极管具有单向导电性能,导通
- 2024-09-19MBR4045PT-ASEMI低Low VF肖特基MBR4045PT
编辑:llMBR4045PT-ASEMI低LowVF肖特基MBR4045PT型号:MBR4045PT品牌:ASEMI封装:TO-247安装方式:插件批号:最新恢复时间:35ns最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.75V~0.95V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):300AMBR4045PT特性:低正
- 2024-09-19MBR4045PT-ASEMI低Low VF肖特基MBR4045PT
编辑:llMBR4045PT-ASEMI低LowVF肖特基MBR4045PT型号:MBR4045PT品牌:ASEMI封装:TO-247安装方式:插件批号:最新恢复时间:35ns最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.75V~0.95V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):300AMB
- 2024-09-13SBT20100VFCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT20100VFCT
编辑:llSBT20100VFCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT20100VFCT型号:SBT20100VFCT品牌:ASEMI封装:ITO-220AB安装方式:插件批号:最新恢复时间:35ns最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.75V~0.95V工作温度:-65°C~150°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):180AS
- 2024-09-13SBT20100VFCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT20100VFCT
编辑:llSBT20100VFCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT20100VFCT型号:SBT20100VFCT品牌:ASEMI封装:ITO-220AB安装方式:插件批号:最新恢复时间:35ns最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.75V~0.95V工作温度:-65°C~150°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪
- 2024-08-21二极管常见电路符号说明
二极管常见电路符号说明摘要本文详细介绍了四种特殊的二极管:TVS二极管用于瞬态电压抑制,响应速度快;肖特基二极管适用于高速电路,导通电压低;隧道二极管利用量子穿隧效应,适用于高频切换;变容二极管则作为可变电容使用,电容量可随电压改变。二极管简介普通的二极管的定义是正向导通,反
- 2024-08-21MBR30100CT-ASEMI低压降肖特基MBR30100CT
编辑:llMBR30100CT-ASEMI低压降肖特基MBR30100CT型号:MBR30100CT品牌:ASEMI封装:TO-220批号:最新恢复时间:35ns最大平均正向电流(IF):30A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.70V~0.90V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):250AMBR30100CT特
- 2024-08-0910V45-ASEMI超低Low VF值肖特基二极管10V45
编辑:ll10V45-ASEMI超低LowVF值肖特基二极管10V45型号:10V45品牌:ASEMI封装:TO-277批号:最新恢复时间:35ns最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.28V~0.42V工作温度:-55°C~150°C芯片个数:1芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):200A10V45特性:低正向
- 2024-06-12MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT
编辑:llMBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT型号:MBR20100FCT品牌:ASEMI封装:TO-220最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.80V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):200AMBR20100FCT特性:低正向压降低功率损耗
- 2024-06-12PS2045L-ASEMI低Low VF肖特基PS2045L
编辑:llPS2045L-ASEMI低LowVF肖特基PS2045L型号:PS2045L品牌:ASEMI封装:TO-277最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.24V~0.39V工作温度:-55°C~150°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:50mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):300A包装方式:50/管1
- 2024-06-06MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT
编辑:llMBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT型号:MBR10100FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.80V工作温度:-65°C~175°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:50mil引脚数量:3正向浪涌电流(IFMS):150A包装方式:5
- 2024-06-06BD10100CS-ASEMI肖特基二极管BD10100CS
编辑:llBD10100CS-ASEMI肖特基二极管BD10100CS型号:BD10100CS品牌:ASEMI封装:TO-252最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.80V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):100ABD10100CS特性:低正向压降低功率损耗高效高浪
- 2024-05-20SS820-ASEMI高耐压肖特基二极管SS820
编辑:llSS820-ASEMI高耐压肖特基二极管SS820型号:SS820品牌:ASEMI封装:SMB最大平均正向电流(IF):8A最大循环峰值反向电压(VRRM):200V最大正向电压(VF):0.85V工作温度:-55°C~150°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:50mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):150A包装方式:50/管1000/盘3000
- 2024-04-24SS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A
编辑:llSS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A型号:SS26A品牌:ASEMI封装:SMA最大平均正向电流(IF):2A最大循环峰值反向电压(VRRM):60V最大正向电压(VF):0.70V工作温度:-50°C~125°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:50mil正向浪涌电流(IFMS):50ASS26A特性:恢复时间短性能稳定正向压降低
- 2024-04-20PS1045L-ASEMI超低Low VF肖特基PS1045L
编辑:llPS1045L-ASEMI超低LowVF肖特基PS1045L型号:PS1045L品牌:ASEMI封装:TO-227最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.44V~0.47V工作温度:-40°C~150°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:62mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):200A包装方式:50/管
- 2024-04-20MBR1040FCT-ASEMI超低VF值肖特基MBR1040FCT
编辑:llMBR1040FCT-ASEMI超低VF值肖特基MBR1040FCT型号:MBR1040FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):40V最大正向电压(VF):0.54V~0.70V工作温度:-65°C~175°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:74mil正向浪涌电流(IFMS):150AMBR1040FCT特性:
- 2024-04-18MBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT
编辑:llMBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT型号:MBR20200FCT品牌:ASEMI封装:TO-220最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):200V最大正向电压(VF):0.90V工作温度:-65°C~175°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:130mil引脚数量:3正向浪涌电流(IFMS):200A包装方式:5
- 2024-04-17MBR40100PT-ASEMI肖特基二极管MBR40100PT
编辑:llMBR40100PT-ASEMI肖特基二极管MBR40100PT型号:MBR40100PT品牌:ASEMI封装:TO-247最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.88V工作温度:-40°C~170°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:130mil引脚数量:3正向浪涌电流(IFMS):400A包装方式:50/
- 2024-04-17MBR30100PT-ASEMI肖特基二极管MBR30100PT
编辑:llMBR30100PT-ASEMI肖特基二极管MBR30100PT型号:MBR30100PT品牌:ASEMI封装:TO-247最大平均正向电流(IF):30A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.54V~0.92V工作温度:-40°C~170°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:122mil正向浪涌电流(IFMS):200AMBR30100PT特性:
- 2024-03-27MBR4060DC-ASEMI肖特基二极管MBR4060DC
编辑:llMBR4060DC-ASEMI肖特基二极管MBR4060DC型号:MBR4060DC品牌:ASEMI封装:TO-263最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):60V最大正向电压(VF):0.85V工作温度:-65°C~150°C反向恢复时间:ns重量:1.38克芯片个数:2芯片尺寸:130mil正向浪涌电流(IFMS):300AMBR4060DC特性:耐
- 2024-03-131N5819-ASEMI轴向肖特基二极管1N5819
辑:ll1N5819-ASEMI轴向肖特基二极管1N5819型号:1N5819品牌:ASEMI封装:DO-41最大平均正向电流(IF):1A最大循环峰值反向电压(VRRM):40V最大正向电压(VF):0.9V工作温度:-55°C~125°C反向恢复时间:ns重量:0.33克芯片个数:1芯片尺寸:60mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):25A包装方式:50/管1000