• 2024-06-12MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT
    编辑:llMBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT型号:MBR20100FCT品牌:ASEMI封装:TO-220最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.80V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):200AMBR20100FCT特性:低正向压降低功率损耗
  • 2024-06-12PS2045L-ASEMI低Low VF肖特基PS2045L
    编辑:llPS2045L-ASEMI低LowVF肖特基PS2045L型号:PS2045L品牌:ASEMI封装:TO-277最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.24V~0.39V工作温度:-55°C~150°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:50mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):300A包装方式:50/管1
  • 2024-06-06MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT
    编辑:llMBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT型号:MBR10100FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.80V工作温度:-65°C~175°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:50mil引脚数量:3正向浪涌电流(IFMS):150A包装方式:5
  • 2024-06-06BD10100CS-ASEMI肖特基二极管BD10100CS
    编辑:llBD10100CS-ASEMI肖特基二极管BD10100CS型号:BD10100CS品牌:ASEMI封装:TO-252最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.80V工作温度:-65°C~175°C芯片个数:2芯片尺寸:mil正向浪涌电流(IFMS):100ABD10100CS特性:低正向压降低功率损耗高效高浪
  • 2024-05-20SS820-ASEMI高耐压肖特基二极管SS820
    编辑:llSS820-ASEMI高耐压肖特基二极管SS820型号:SS820品牌:ASEMI封装:SMB最大平均正向电流(IF):8A最大循环峰值反向电压(VRRM):200V最大正向电压(VF):0.85V工作温度:-55°C~150°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:50mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):150A包装方式:50/管1000/盘3000
  • 2024-04-24SS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A
    编辑:llSS26A-ASEMI超低VF值肖特基SS26A型号:SS26A品牌:ASEMI封装:SMA最大平均正向电流(IF):2A最大循环峰值反向电压(VRRM):60V最大正向电压(VF):0.70V工作温度:-50°C~125°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:50mil正向浪涌电流(IFMS):50ASS26A特性:恢复时间短性能稳定正向压降低
  • 2024-04-20PS1045L-ASEMI超低Low VF肖特基PS1045L
    编辑:llPS1045L-ASEMI超低LowVF肖特基PS1045L型号:PS1045L品牌:ASEMI封装:TO-227最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):45V最大正向电压(VF):0.44V~0.47V工作温度:-40°C~150°C反向恢复时间:5ns芯片个数:1芯片尺寸:62mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):200A包装方式:50/管
  • 2024-04-20MBR1040FCT-ASEMI超低VF值肖特基MBR1040FCT
    编辑:llMBR1040FCT-ASEMI超低VF值肖特基MBR1040FCT型号:MBR1040FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):40V最大正向电压(VF):0.54V~0.70V工作温度:-65°C~175°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:74mil正向浪涌电流(IFMS):150AMBR1040FCT特性:
  • 2024-04-18MBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT
    编辑:llMBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT型号:MBR20200FCT品牌:ASEMI封装:TO-220最大平均正向电流(IF):20A最大循环峰值反向电压(VRRM):200V最大正向电压(VF):0.90V工作温度:-65°C~175°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:130mil引脚数量:3正向浪涌电流(IFMS):200A包装方式:5
  • 2024-04-17MBR40100PT-ASEMI肖特基二极管MBR40100PT
    编辑:llMBR40100PT-ASEMI肖特基二极管MBR40100PT型号:MBR40100PT品牌:ASEMI封装:TO-247最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.88V工作温度:-40°C~170°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:130mil引脚数量:3正向浪涌电流(IFMS):400A包装方式:50/
  • 2024-04-17MBR30100PT-ASEMI肖特基二极管MBR30100PT
    编辑:llMBR30100PT-ASEMI肖特基二极管MBR30100PT型号:MBR30100PT品牌:ASEMI封装:TO-247最大平均正向电流(IF):30A最大循环峰值反向电压(VRRM):100V最大正向电压(VF):0.54V~0.92V工作温度:-40°C~170°C反向恢复时间:5ns芯片个数:2芯片尺寸:122mil正向浪涌电流(IFMS):200AMBR30100PT特性:
  • 2024-03-27MBR4060DC-ASEMI肖特基二极管MBR4060DC
    编辑:llMBR4060DC-ASEMI肖特基二极管MBR4060DC型号:MBR4060DC品牌:ASEMI封装:TO-263最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):60V最大正向电压(VF):0.85V工作温度:-65°C~150°C反向恢复时间:ns重量:1.38克芯片个数:2芯片尺寸:130mil正向浪涌电流(IFMS):300AMBR4060DC特性:耐
  • 2024-03-131N5819-ASEMI轴向肖特基二极管1N5819
    辑:ll1N5819-ASEMI轴向肖特基二极管1N5819型号:1N5819品牌:ASEMI封装:DO-41最大平均正向电流(IF):1A最大循环峰值反向电压(VRRM):40V最大正向电压(VF):0.9V工作温度:-55°C~125°C反向恢复时间:ns重量:0.33克芯片个数:1芯片尺寸:60mil引脚数量:2正向浪涌电流(IFMS):25A包装方式:50/管1000
  • 2024-01-15SS32肖特基二极管 20V 3A 封装齐全SMA/SMB/SMC
    肖特基二极管SS310参数怎么看?SS315肖特基二极管是贴片还是直插的,有哪些封装形式?SS35二极管可以用什么型号替代?SS320可以代替它吗?要求SMC封装!……SS32~SS320肖特基二极管特性上文中提及的SS310、SS315、SS35二极管属于SS32~SS320肖特基二极管系列。二极管厂家东沃电子推出的贴片肖特
  • 2023-12-13MBR30300FCT-ASEMI高耐压肖特基MBR30300FCT
    编辑:llMBR30300FCT-ASEMI高耐压肖特基MBR30300FCT型号:MBR30200FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流:30A最大重复峰值反向电压:300V产品引线数量:3产品内部芯片个数:2产品内部芯片尺寸:122MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:5ns浪涌电流:275A芯片材质:最大正向电压:0.86V~0.92V工作结温:-55
  • 2023-12-13MBR30300FCT-ASEMI高耐压肖特基MBR30300FCT
    编辑:llMBR30300FCT-ASEMI高耐压肖特基MBR30300FCT型号:MBR30200FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流:30A最大重复峰值反向电压:300V产品引线数量:3产品内部芯片个数:2产品内部芯片尺寸:122MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:5ns浪涌电流:275A芯片材质:最大正向电压:0.86V~0
  • 2023-12-13MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT
    编辑:llMBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT型号:MBR30150FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F特性:插件、肖特基二极管最大平均正向电流:30A最大重复峰值反向电压:150V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2最大正向压降:0.90V芯片尺寸:122MIL浪涌电流:275A漏电流:10ua工作温度:-40℃~17
  • 2023-12-12MBR30200FCT-ASEMI大电流肖特基MBR30200FCT
    编辑:llMBR30200FCT-ASEMI大电流肖特基MBR30200FCT型号:MBR30200FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F最大平均正向电流:30A最大重复峰值反向电压:200V产品引线数量:3产品内部芯片个数:2产品内部芯片尺寸:122MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:5ns浪涌电流:275A芯片材质:最大正向电压:0.85V~0
  • 2023-12-12MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT
    编辑:llMBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT型号:MBR30100FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F特性:插件、肖特基二极管最大平均正向电流:30A最大重复峰值反向电压:100V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2最大正向压降:0.90V芯片尺寸:122MIL浪涌电流:275A漏电流:10ua工作温度:-40℃~170℃包装方式:100/
  • 2023-12-12MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT
    编辑:llMBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT型号:MBR30100FCT品牌:ASEMI封装:TO-220F特性:插件、肖特基二极管最大平均正向电流:30A最大重复峰值反向电压:100V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2最大正向压降:0.90V芯片尺寸:122MIL浪涌电流:275A漏电流:10ua工作温度:-40℃~17
  • 2023-12-11MBR60300PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60300PT
    编辑:llMBR60300PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60300PT型号:MBR60300PT品牌:ASEMI封装:TO-247正向电流:60A反向电压:300V引线数量:3芯片个数:2芯片尺寸:150MIL漏电流:<10ua恢复时间:5ns浪涌电流:500A芯片材质:正向电压:0.85V~0.90V工作结温:-40℃~175℃包装方式:500/箱MBR60300PT
  • 2023-12-11MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT
    编辑:llMBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT型号:MBR60150PT品牌:ASEMI封装:TO-247特性:插件、肖特基二极管正向电流:60A反向耐压:150V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2正向压降:0.70V~0.90V芯片尺寸:130MIL浪涌电流:500A漏电流:10ua工作温度:-65℃~175℃包装方式:100/
  • 2023-12-09MBR60200PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60200PT
    编辑:llMBR60200PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60200PT型号:MBR60200PT品牌:ASEMI封装:TO-247正向电流:60A反向电压:200V引线数量:3芯片个数:2芯片尺寸:150MIL漏电流:<10ua恢复时间:5ns浪涌电流:500A芯片材质:正向电压:0.85V~0.90V工作结温:-65℃~150℃包装方式:500/箱MBR60200PT
  • 2023-12-09MBR40200PT-ASEMI肖特基二极管MBR40200PT
    编辑:llMBR40200PT-ASEMI肖特基二极管MBR40200PT型号:MBR40200PT品牌:ASEMI封装:TO-247特性:插件、肖特基二极管正向电流:40A反向耐压:200V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2正向压降:0.70V~0.90V芯片尺寸:130MIL浪涌电流:350A漏电流:10ua工作温度:-65℃~175℃包装方式:100/盘;1800/箱备受欢迎的MBR4
  • 2023-12-09MBR40200PT-ASEMI肖特基二极管MBR40200PT
    编辑:llMBR40200PT-ASEMI肖特基二极管MBR40200PT型号:MBR40200PT品牌:ASEMI封装:TO-247特性:插件、肖特基二极管正向电流:40A反向耐压:200V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2正向压降:0.70V~0.90V芯片尺寸:130MIL浪涌电流:350A漏电流:10ua工作温度:-65℃~175℃包装方式:100/盘;1800