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力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数：
型号：LSIC1MO120E0080
漏极-源极电压（VDS）：1200V
连续漏电流（ID）：25A
功耗（PD）：214W
工作结温度（TJ）：-55 to +175℃
零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA
漏极源导通电阻RDS(ON)：80mΩ
栅极阈值电压VGS(TH)：2.8V
输入电容（CISS）：1700pF
二极管正向电压（VSD）：3.6V
反向恢复时间（trr）：21ns
LSIC1MO120E0080封装尺寸：
封装：TO-247
总长度：22.03mm
本体长度：21.46mm
引脚长度：20.57mm
宽度：16.25mm
高度：5.3mm
脚间距：5.44mm
LSIC1MO120E0080特征：
针对高频、高效应用进行了优化
极低的栅极电荷和输出电容
用于高频开关的低栅极电阻
所有温度下的常闭操作
超低导通电阻
LSIC1MO120E0080应用：
高频应用
太阳能逆变器
开关模式电源
UPS
电机驱动
高压DC/DC转换器
电池充电器
感应加热
标签：MOSFET,mm,力特,碳化硅,栅极,LSIC1MO120E0080,ASEMI,高频 From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16900176.html