• 2022-11-17ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET
    编辑-Z力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数:型号:LSIC1MO120E0080漏极-源极电压(VDS):1200V连续漏电流(ID):25A功耗(PD):214W工作结温度(TJ):-55to+175℃零栅极电压漏极电流(IDSS
  • 2022-11-17ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET
    编辑-Z力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数:型号:LSIC1MO120E0080漏极-源极电压(VDS):1200V连续漏电流(ID):25A功耗(PD):214W工作结温度(TJ):-55to+175℃零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA漏极
  • 2022-11-04ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管
    编辑:llASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管型号:LSIC1MO120E0080品牌:LITTELFUSE/力特封装:TO-247最大漏源电流:25A漏源击穿电压:1200VRDS(ON)Max:0.135Ω引脚数量:3沟道类型:N沟