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IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
型号：IXFA14N85XHV
品牌：IXYS/艾赛斯
封装：TO-263
最大漏源电流：14A
漏源击穿电压：850V
RDS（ON）Max：550mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
特性：高功率密度、易于安装、节省的空间
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
IXFA14N85XHV场效应管
IXFA14N85XHV的电性参数：最大漏源电流14A；漏源击穿电压850V
IXFA14N85XHV应用：
开关模式和谐振模式
电源
DC-DC转换器
PFC电路
交流和直流电机驱动
机器人与伺服控制
标签：MOS,沟道,IXFA14N85XHV,ASEMI,赛斯,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17470827.html