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IMBF170R1K0M1参数:
漏源电压:1700V
直流漏极电流:5.2A
功率耗散:68W
工作结温:-55~175℃
储存温度:-55~150℃
漏极源导通状态电阻:1000mΩ
栅极-源极阈值电压:4.5V
输入电容:275pF
MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术和材料,具有优异的热性能和可靠性,能够在高温和高压的环境下稳定工作。
IMBF170R1K0M1的主要特点包括:
1. 低导通电阻:该晶体管的导通电阻非常低,能够在高电流下保持低的功耗和高效率。
2. 高开关速度:IMBF170R1K0M1具有快速的开关速度,能够在高频率下稳定工作。
3. 低输入电容:该晶体管的输入电容非常低,能够减少开关时的功耗和噪声。
4. 高温性能:IMBF170R1K0M1能够在高温环境下稳定工作,具有优异的热性能和可靠性。
5. 小封装:该晶体管采用了小型的封装,能够在紧凑的电路板上实现高密度的布局。
IMBF170R1K0M1的应用范围非常广泛,包括电源管理、电机控制、照明控制、无线通信等领域。该晶体管的高性能和可靠性,使其成为各种功率开关应用的理想选择。
总之, MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能、可靠性强的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。它的优异特性和广泛应用范围,使其成为电子工程师和电路设计师的选择之一。
标签:可靠性,封装,晶体管,英飞凌,IMBF170R1K0M1,MOS,开关 From: https://blog.51cto.com/u_15615622/6417950