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ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料

时间:2023-06-05 17:02:33浏览次数:43  
标签:可靠性 封装 晶体管 英飞凌 IMBF170R1K0M1 MOS 开关

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IMBF170R1K0M1参数:

漏源电压:1700V

直流漏极电流:5.2A

功率耗散:68W

工作结温:-55~175℃

储存温度:-55~150℃

漏极源导通状态电阻:1000mΩ

栅极-源极阈值电压:4.5V

输入电容:275pF

 

MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术和材料,具有优异的热性能和可靠性,能够在高温和高压的环境下稳定工作。

 

ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料_封装

IMBF170R1K0M1的主要特点包括:

1. 低导通电阻:该晶体管的导通电阻非常低,能够在高电流下保持低的功耗和高效率。

2. 高开关速度:IMBF170R1K0M1具有快速的开关速度,能够在高频率下稳定工作。

3. 低输入电容:该晶体管的输入电容非常低,能够减少开关时的功耗和噪声。

4. 高温性能:IMBF170R1K0M1能够在高温环境下稳定工作,具有优异的热性能和可靠性。

5. 小封装:该晶体管采用了小型的封装,能够在紧凑的电路板上实现高密度的布局。

 

IMBF170R1K0M1的应用范围非常广泛,包括电源管理、电机控制、照明控制、无线通信等领域。该晶体管的高性能和可靠性,使其成为各种功率开关应用的理想选择。

 

总之, MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能、可靠性强的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。它的优异特性和广泛应用范围,使其成为电子工程师和电路设计师的选择之一。

标签:可靠性,封装,晶体管,英飞凌,IMBF170R1K0M1,MOS,开关
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