编辑-ZIMBF170R1K0M1参数：漏源电压：1700V直流漏极电流：5.2A功率耗散：68W工作结温：-55~175℃储存温度：-55~150℃漏极源导通状态电阻：1000mΩ栅极-源极阈值电压：4.5V输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术

编辑：llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号：IMBF170R1K0M1品牌：英飞凌封装：TO-263最大漏源电流：31A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：99mΩ引脚数量：3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开关损耗基准栅极

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