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IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1
型号：IMBF170R1K0M1
品牌：英飞凌
封装：TO-263
最大漏源电流：31A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：99mΩ
引脚数量：3
特点
革命性的半导体材料-碳化硅
针对飞回拓扑进行了优化
12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容
非常低的开关损耗
基准栅极阈值电压，VGS（th）=4.5V
用于EMI优化的完全可控dV/dt
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的IMBF170R1K0M1 MOS管
ASEMI代理英飞凌品牌IMBF170R1K0M1是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了IMBF170R1K0M1的最大漏源电流31A，漏源击穿电压600V.
标签：IMBF170R1K0M1,英飞凌,沟道,MOS,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17453545.html