编辑:ll
IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE
型号:IPA50R190CE
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220F
最大漏源电流:24.8A
漏源击穿电压:500V
RDS(ON)Max:0.19Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-40℃~150℃
IPA50R190CE场效应管
IPA50R190CE的电性参数:最大漏源电流24.8A;漏源击穿电压500V
IPA50R190CE应用:
适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.
标签:24.8,英飞凌,沟道,IPA50R190CE,MOS,漏源 From: https://blog.51cto.com/u_15591410/6407671