IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE

时间：2023-06-03 12:04:54浏览次数：44

标签：24.8 英飞凌沟道 IPA50R190CE MOS 漏源

编辑：ll

型号：IPA50R190CE

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220F

最大漏源电流：24.8A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：0.19Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-40℃~150℃

IPA50R190CE场效应管

IPA50R190CE的电性参数：最大漏源电流24.8A；漏源击穿电压500V

IPA50R190CE应用：

适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.

IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE_ASEMI

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IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE_MOS管_03

标签：24.8,英飞凌,沟道,IPA50R190CE,MOS,漏源
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