编辑-ZIPA50R190CE参数描述：型号：IPA50R190CE持续漏极电流：24.8A脉冲漏极电流：63A栅极-源极电压：20V功耗：32W操作和储存温度：-40~150℃连续二极管正向电流：8.1A漏源击穿电压：500V栅极阈值电压：3V零栅极电压漏极电流：1uA漏极源导通状态电阻：0.17Ω输入电容：1137pF输出电容：68pF二极管正向电压：0.85V

编辑：llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号：IPA50R190CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：24.8A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.19Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-40℃~150

编辑：llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号：IPA50R190CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：24.8A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.19Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管