首页 > 其他分享 >ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE,MOS管IPA50R190CE参数

ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE,MOS管IPA50R190CE参数

时间:2023-06-05 17:03:01浏览次数:38  
标签:英飞凌 IPA50R190CE 栅极 二极管 漏极 MOS 电压 电流

编辑-Z

IPA50R190CE参数描述:

型号:IPA50R190CE

持续漏极电流:24.8A

脉冲漏极电流:63A

栅极-源极电压:20V

功耗:32W

操作和储存温度:-40~150℃

连续二极管正向电流:8.1A

漏源击穿电压:500V

栅极阈值电压:3V

零栅极电压漏极电流:1uA

漏极源导通状态电阻:0.17Ω

输入电容:1137pF

输出电容:68pF

二极管正向电压:0.85V

反向恢复时间:280ns

 

ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE,MOS管IPA50R190CE参数_反向恢复

IPA50R190CE特征:

由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低,损失极低

非常高的换向坚固性

易于使用/驾驶

无铅电镀,无卤素模塑化合物

具备标准级应用的资格

 

ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE,MOS管IPA50R190CE参数_反向恢复_02

IPA50R190CE应用:

PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级

例如PC Silverbox、适配器、LCD和PDP电视以及室内照明。

标签:英飞凌,IPA50R190CE,栅极,二极管,漏极,MOS,电压,电流
From: https://blog.51cto.com/u_15615622/6417944

相关文章

  • ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料
    编辑-ZIMBF170R1K0M1参数:漏源电压:1700V直流漏极电流:5.2A功率耗散:68W工作结温:-55~175℃储存温度:-55~150℃漏极源导通状态电阻:1000mΩ栅极-源极阈值电压:4.5V输入电容:275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术......
  • SPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3
    编辑:llSPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3型号:SPW47N60C3品牌:Infineon(英飞凌)封装:TO-247最大漏源电流:47A漏源击穿电压:650VRDS(ON)Max:70mΩ引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流:恢复时间:5ns芯片材质:封装尺寸:如图特性:高压MOS管、N沟道MOS管工作结温......
  • SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3
    编辑:llSPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3型号:SPA17N80C3品牌:Infineon(英飞凌)封装:TO-220F最大漏源电流:17A漏源击穿电压:800VRDS(ON)Max:0.29Ω引脚数量:3特点新的革命性高压技术全球最佳RDS(上)在TO220中超低栅极电荷周期性雪崩额定值极限dv/dt额定值超低有效......
  • IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE
    编辑:llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号:IPA50R190CE品牌:Infineon(英飞凌)封装:TO-220F最大漏源电流:24.8A漏源击穿电压:500VRDS(ON)Max:0.19Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流:恢复时间:5ns芯片材质:封装尺寸:如图特性:高压MOS管、N沟道MOS管工作结温:-40℃~150......
  • IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1
    编辑:llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号:IMBF170R1K0M1品牌:英飞凌封装:TO-263最大漏源电流:31A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:99mΩ引脚数量:3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开关损耗基准栅极......
  • IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE
    编辑:llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号:IPA50R190CE品牌:Infineon(英飞凌)封装:TO-220F最大漏源电流:24.8A漏源击穿电压:500VRDS(ON)Max:0.19Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流:恢复时间:5ns芯片材质:封装尺寸:如图特性:高压MOS管、N沟道MOS管......
  • IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1
    编辑:llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号:IMBF170R1K0M1品牌:英飞凌封装:TO-263最大漏源电流:31A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:99mΩ引脚数量:3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开......
  • IGBT与mos管的区别
     应用场景     ......
  • (晶体管)QH8MA4TCR MOSFET - 阵列 30V 9A,8A 1.5W 表面贴装型 TSMT8
    特性:1)低导通电阻2)小型表面贴装封装(TSMT8)3)无铅电镀;符合RoHS标准4)无卤素ROHM半导体硅功率MOSFET提供一系列驱动类型(0.9V至20V),使其非常适合各种应用。技术:MOSFET(金属氧化物)配置:N和P沟道FET功能:-漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):9A,8A不同Id、Vgs......
  • leetcode Most Common Word——就是在考察自己实现split
    819.MostCommonWordGivenaparagraph andalistofbannedwords,returnthemostfrequentwordthatisnotinthelistofbannedwords. Itisguaranteedthereisatleastonewordthatisn'tbanned,andthattheanswerisunique.Wordsinthelist......