IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV

时间：2023-06-10 10:33:27浏览次数：40

标签：MOS 沟道 IXFA14N85XHV 14A 赛斯漏源

编辑：ll

型号：IXFA14N85XHV

品牌：IXYS/艾赛斯

封装：TO-263

最大漏源电流：14A

漏源击穿电压：850V

RDS（ON）Max：550mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

特性：高功率密度、易于安装、节省的空间

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

IXFA14N85XHV场效应管

IXFA14N85XHV的电性参数：最大漏源电流14A；漏源击穿电压850V

IXFA14N85XHV应用：

开关模式和谐振模式

电源

DC-DC转换器

PFC电路

交流和直流电机驱动

机器人与伺服控制

IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV_IXFA14N85XHV

IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV_ASEMI_02

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标签：MOS,沟道,IXFA14N85XHV,14A,赛斯,漏源
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IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
编辑：llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号：IXFA14N85XHV品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-263最大漏源电流：14A漏源击穿电压：850VRDS（ON）Max：550mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管特性：高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管......
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