编辑-ZIXFH4N100Q参数描述：型号：IXFH4N100QVDSS：1000VVDGR：1000VVGS：±20ID25：4AIDM：16APD：150WTJ，Tstg：-55to+150℃Weight：6gVGS(th)：5VIGSS：±100nAIDSS：50uARDS(on)：3ΩCiss：1050pFIS：4AISM：16AVSD：1.5VTrr：250ns  IXFH4N100Q特征：IXYS先进的低Qg工艺低栅极电荷和电容

编辑：llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号：IXFH4N100Q品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标准包装RDS低（打开）无

编辑：llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号：IXFH4N100Q品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标