编辑-ZFQL40N50参数描述：型号：FQL40N50漏源电压VDSS：500V漏极电流ID：40A漏极电流-脉冲IDM：160A栅极-源极电压VGSS：±30V功耗PD：460W操作和储存温度范围TJ,TSTG：-55to+150℃零栅极电压漏极电流IDSS：1uA栅极阈值电压VGS(th)：5V静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω输入电容Ciss：5800

编辑：llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号：FQL40N50品牌：ON/安森美封装：TO-264最大漏源电流：40A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：110mΩ引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A，500V，RDS(on)=110mΩ（最大值）（VGS=10V且ID=20A时）低栅极电荷（

编辑：llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号：FQL40N50品牌：ON/安森美封装：TO-264最大漏源电流：40A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：110mΩ引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A，500V，RDS(on)=110mΩ（最大值）（VGS=10V且ID=20A