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ON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数:
型号:FGH40N60SMD
二极管正向电流(IF):40A
功耗(Ptot):349W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 175℃
集电极到发射极电压(VCES):600V
G−E阈值电压VGE(th):4.5V
集电极截止电流(ICES):250uA
G−E漏电流(IGES):±400nA
输入电容(Cies):1880pF
输出电容(Coes):180pF
二极管正向电压(VFM):2.3V
反向恢复时间(trr):36ns
FGH40N60SMD使用新型场阻IGBT技术,安森美的新系列场停第二代IGBT为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和pf应用提供了最佳性能,在这些领域中,低传导和开关损耗是必不可少的。
FGH40N60SMD特征:
最高结温:TJ=175°C
正温度Co−高效,易于并行操作
高电流能力
低饱和电压:VCE(sat)=1.9 V(Typ)@IC=40 A
高输入阻抗
快速切换:EOFF=6.5μJ/A
加强参数分配
该设备为Pb−不含卤素/BFR,符合RoHS标准
FGH40N60SMD应用:
太阳能逆变器、焊机、UPS、PFC、电信、ESS
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。
标签:FGH40N60SMD,车规级,安森美,IGBT,电流,原厂 From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16799753.html