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ST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数：
型号：STW43NM60ND
连续漏极电流（ID）：35A
功耗（Ptot）：255W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：600V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA
栅源漏电流（IGSS）：100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.075Ω
输入电容（Ciss）：4300pF
输出电容（Coss）：250pF
二极管正向电压（VSD）：1.3V
反向恢复时间（trr）：280ns
STW43NM60ND这种功率MOSFET将一种新的垂直结构与公司的条形布局相结合，并将降低导通电阻和快速开关的所有优点与固有的快速恢复体二极管相结合。因此，强烈建议用于桥式拓扑，尤其是ZVS相移转换器。
STW43NM60ND特征：
快速恢复二极管设备中较好的RDS（on）*区域
100%雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv/dt和雪崩能力。
STW43NM60ND应用：
开关管应用
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
标签：STW43NM60ND,车规级,MOS,栅极,ST,ASEMI,意法 From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16794279.html