编辑-ZSTW43NM60ND用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范

编辑：llSTW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：STW43NM60ND品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：35A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MOS

编辑：llSTW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：STW43NM60ND品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：35A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MOS管芯片个数：

编辑-ZST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数：型号：STW43NM60ND连续漏极电流（ID）：35A功耗（Ptot）：255W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：600V栅极阈值电压V(GS)t

编辑-ZST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数：型号：STW43NM60ND连续漏极电流（ID）：35A功耗（Ptot）：255W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：600V栅极阈值电